| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料特点概述 | 第9-12页 |
| §1.2 氮化镓材料的外延生长技术 | 第12-15页 |
| §1.3 氮化镓外延衬底材料的选择 | 第15-17页 |
| §1.4 氮化镓基稀磁半导体材料的研究进展 | 第17-19页 |
| §1.5 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 Si(111)衬底上GaN厚膜HVPE生长 | 第22-41页 |
| §2.1 引言 | 第22-24页 |
| §2.2 低温GaN缓冲层对Si基GaN厚膜性质的影响 | 第24-30页 |
| §2.2.1 实验过程 | 第24-25页 |
| §2.2.2 实验结果与讨论 | 第25-30页 |
| §2.3 AlN缓冲层上Si基GaN厚膜HVPE生长 | 第30-37页 |
| §2.3.1 实验过程 | 第30-31页 |
| §2.3.2 实验结果与讨论 | 第31-37页 |
| §2.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 Cr掺杂GaN厚膜的制备和研究 | 第41-54页 |
| §3.1 引言 | 第41-43页 |
| §3.2 Cr掺杂GaN厚膜的制备和研究 | 第43-51页 |
| §3.2.1 实验过程 | 第43-44页 |
| §3.2.2 实验结果与讨论 | 第44-51页 |
| §3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第四章 结论 | 第54-55页 |
| 攻读硕士期间发表的论文目录 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
