| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章:概述 | 第7-18页 |
| ·介绍 | 第7-9页 |
| ·THz混频器概况 | 第9-17页 |
| ·外差式接收机原理 | 第9-10页 |
| ·混频器的分类 | 第10-12页 |
| ·超导HEB混频器工作原理 | 第12-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章:超导NbN薄膜及NbN HEB混频器的工艺研究 | 第18-31页 |
| ·NbN超导薄膜的制备 | 第18-25页 |
| ·HEB器件制备工艺研究 | 第25-27页 |
| ·HEB器件的制备流程 | 第25-26页 |
| ·HEB器件微桥区域制备技术改进 | 第26-27页 |
| ·HEB的特性测试及分析 | 第27-30页 |
| ·HEB Ⅳ曲线 | 第27-28页 |
| ·HEB器件的噪声温度 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-31页 |
| 第三章:超导NbTi薄膜的制备和研究 | 第31-44页 |
| ·NbTi薄膜材料的应用背景 | 第31页 |
| ·Si衬底NbTi薄膜的制备和研究 | 第31-38页 |
| ·NbTi薄膜的制备工艺 | 第31-32页 |
| ·NbTi/Si(100)薄膜的表面性能 | 第32-33页 |
| ·NbTi/Si(100)薄膜的超导电性 | 第33-38页 |
| ·NbTi/Si(100)薄膜的改进研究 | 第38-43页 |
| ·AlN薄膜 | 第38-39页 |
| ·AlN/NbTi/Si(100)薄膜 | 第39-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章:结论 | 第44-45页 |
| 硕士研究生阶段研究成果 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |