| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·Cu_3N薄膜的研究现状简述 | 第10-13页 |
| ·Cu_3N薄膜的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·Cu_3N薄膜的光学特性 | 第11-12页 |
| ·Cu_3N薄膜的电学特性 | 第12页 |
| ·薄膜的热稳定性 | 第12-13页 |
| ·TiN薄膜研究现状简述 | 第13-15页 |
| ·TiN薄膜基本特性 | 第13页 |
| ·TiN薄膜的晶体结构 | 第13-15页 |
| ·TiN薄膜的电学特性 | 第15页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 射频反应磁控溅射技术概述 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·射频反应磁控溅射法原理 | 第17-20页 |
| ·辉光放电 | 第17-18页 |
| ·射频溅射 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射 | 第19-20页 |
| ·反应溅射 | 第20页 |
| ·溅射参数 | 第20-22页 |
| ·溅射阈值 | 第20-21页 |
| ·溅射率 | 第21页 |
| ·溅射粒子的能量和速度 | 第21-22页 |
| ·溅射成膜的特性 | 第22-24页 |
| ·溅射过程 | 第22页 |
| ·薄膜生长模式及形成过程 | 第22-24页 |
| ·溅射的特点和应用 | 第24-25页 |
| ·溅射的特点 | 第24页 |
| ·溅射的应用 | 第24-25页 |
| 第三章 Tb掺杂Cu_3N薄膜的制备及其结构与性能研究 | 第25-35页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的制备与表征 | 第25-27页 |
| ·实验器材 | 第25-26页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的制备 | 第26-27页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的表征 | 第27页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜表征结果与分析 | 第27-34页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的化学成份分析 | 第27-28页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的沉积速率 | 第28页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的结构 | 第28-30页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的热稳定性能 | 第30-32页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的导电性能 | 第32-33页 |
| ·Tb掺杂Cu_3N薄膜的光学性能 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 氮化钛薄膜的制备及其结构与性能研究 | 第35-44页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·氮化钛薄膜的制备 | 第35页 |
| ·氮气氩气流量比对氮化钛薄膜的结构和电学性能的影响 | 第35-39页 |
| ·氮气氩气流量比对氮化钛薄膜沉积速率的影响 | 第35-36页 |
| ·氮气氩气流量比对氮化钛薄膜结构的影响 | 第36-39页 |
| ·氮气氩气流量比对氮化钛薄膜电学性能的影响 | 第39页 |
| ·基片温度对氮化钛薄膜的结构和电学性能的影响 | 第39-43页 |
| ·基片温度对氮化钛薄膜沉积速率的影响 | 第39-40页 |
| ·基片温度对氮化钛薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| ·基片温度比对氮化钛薄膜电学性能的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |