| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-24页 |
| ·金属薄膜 | 第14-16页 |
| ·物理气相淀积 | 第16-18页 |
| ·化学气相淀积 | 第18-20页 |
| ·真空在金属薄膜淀积中的应用 | 第20-21页 |
| ·课题研究意义和内容 | 第21-24页 |
| ·课题意义 | 第21-22页 |
| ·课题内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验设备和检测技术 | 第24-37页 |
| ·Endura 溅射系统 | 第24-27页 |
| ·钨化学气相淀积设备 | 第27-30页 |
| ·真空与残余气体检测技术 | 第30-33页 |
| ·真空检漏 | 第30页 |
| ·系统压力上升法 | 第30-31页 |
| ·氦质谱检漏仪 | 第31-32页 |
| ·残余气体分析仪 | 第32-33页 |
| ·缺陷检测和分析技术 | 第33-36页 |
| ·光学显微镜 | 第34页 |
| ·自动缺陷检测设备 | 第34-35页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| ·透射电子显微镜 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第3章 残余气体对溅射阻挡层Ti/TiN 薄膜的影响 | 第37-52页 |
| ·溅射设备中的残余气体 | 第37-39页 |
| ·残余气体来源 | 第37页 |
| ·残余气体的影响 | 第37-38页 |
| ·降低残余气体的方法 | 第38-39页 |
| ·Ti/TiN 阻挡层工艺 | 第39-45页 |
| ·阻挡层金属 | 第39-40页 |
| ·Ti/TiN 阻挡层工艺 | 第40-41页 |
| ·SIP 工艺腔 | 第41-45页 |
| ·Etch-back EPD 工作原理 | 第45页 |
| ·SIP 腔残余气体对W Etch-back EPD 的影响 | 第45-51页 |
| ·问题描述 | 第45-47页 |
| ·实验和结果 | 第47-50页 |
| ·原因分析 | 第50页 |
| ·解决方法 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 本底真空度和残余气体对功率器件铝薄膜的影响 | 第52-69页 |
| ·功率器件铝工艺 | 第52-55页 |
| ·功率器件铝工艺要求 | 第52-53页 |
| ·功率器件铝工艺条件 | 第53-54页 |
| ·传统的铝磁控溅射腔 | 第54-55页 |
| ·真空腔微漏对铝火山状缺陷的影响 | 第55-60页 |
| ·铝火山状缺陷介绍 | 第55-58页 |
| ·原因分析 | 第58-59页 |
| ·解决方法 | 第59-60页 |
| ·真空腔微漏对铝晶须突出缺陷的影响 | 第60-63页 |
| ·晶须突出缺陷介绍 | 第60-62页 |
| ·原因分析 | 第62-63页 |
| ·解决方法 | 第63页 |
| ·残余气体对功率MOS 器件阈值电压的影响 | 第63-68页 |
| ·问题描述 | 第63-65页 |
| ·实验过程 | 第65-67页 |
| ·原因分析 | 第67-68页 |
| ·解决方法 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第5章 残余气体对钨化学气相淀积缺陷的影响 | 第69-79页 |
| ·钨CVD 工艺 | 第69-70页 |
| ·钨CVD 中的残余气体 | 第70-71页 |
| ·Novellus 设备W-CVD 淀积对刻蚀残留的影响 | 第71-76页 |
| ·问题描述 | 第71-74页 |
| ·原因分析及解决方法 | 第74-76页 |
| ·AMAT 设备W-CVD 淀积对刻蚀残留的影响 | 第76-78页 |
| ·问题描述 | 第76-77页 |
| ·原因分析 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第6章 总结与展望 | 第79-81页 |
| ·总结 | 第79-80页 |
| ·本文的不足与展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第85-88页 |
| 附件 | 第88页 |
