| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·多晶硅薄膜简介 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第14-19页 |
| ·直接制备法 | 第14-17页 |
| ·间接制备法 | 第17-19页 |
| ·铝诱导晶化制备多晶硅薄膜概述 | 第19-24页 |
| ·铝诱导晶化制备多晶硅薄膜机理 | 第20-21页 |
| ·铝诱导晶化制备多晶硅薄膜的研究进展 | 第21-24页 |
| ·本文研究思路及实验内容 | 第24-26页 |
| 第二章 材料的制备与表征 | 第26-37页 |
| ·实验原料 | 第26页 |
| ·材料的制备 | 第26-31页 |
| ·材料制备的主要仪器 | 第26-27页 |
| ·清洗衬底 | 第27页 |
| ·热丝化学气相法沉积硅膜 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射法沉积铝膜 | 第28-29页 |
| ·真空热蒸发法沉积铝膜 | 第29-31页 |
| ·样品的后续退火 | 第31页 |
| ·腐蚀去除残余铝膜 | 第31页 |
| ·材料的表征 | 第31-37页 |
| ·材料表征的主要设备 | 第31-32页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第32-34页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第34页 |
| ·四探针电阻率/方阻测试仪 | 第34-35页 |
| ·台阶仪 | 第35-36页 |
| ·透-反射光学显微镜 | 第36页 |
| ·紫外-可见-近红外光谱仪 | 第36-37页 |
| 第三章 磁控溅射法沉积铝膜诱导多晶硅薄膜及其性能 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·制备方法 | 第38页 |
| ·测试及分析 | 第38-45页 |
| ·XRD 分析 | 第38-40页 |
| ·表面形貌分析 | 第40-41页 |
| ·结晶性能分析 | 第41-44页 |
| ·电学性能分析 | 第44-45页 |
| ·光学性能分析 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 真空热蒸发法沉积铝膜诱导多晶硅薄膜及其性能 | 第47-56页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·制备方法 | 第48页 |
| ·测试及分析 | 第48-55页 |
| ·XRD 分析 | 第48-49页 |
| ·表面形貌分析 | 第49-51页 |
| ·结晶性能分析 | 第51-54页 |
| ·电学性能分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 温度因素对铝诱导多晶硅薄膜的影响 | 第56-65页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·制备过程 | 第56-57页 |
| ·退火温度对铝诱导多晶硅的影响 | 第57-60页 |
| ·表面形貌分析 | 第57-59页 |
| ·XRD 分析 | 第59页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第59-60页 |
| ·沉积铝膜的衬底温度对铝诱导多晶硅的影响 | 第60-64页 |
| ·表面形貌分析 | 第60-62页 |
| ·XRD 分析 | 第62页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第62-64页 |
| ·本章总结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第74页 |