| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-7页 |
| §1.1 稀磁半导体研究意义与进展 | 第5-6页 |
| §1.2 本文主要工作 | 第6-7页 |
| 第二章 薄膜生长技术与表征方法 | 第7-13页 |
| §2.1 分子束外延技术 | 第7-9页 |
| §2.2 半导体衬底清洗 | 第9-10页 |
| §2.3 表面分析技术 | 第10-13页 |
| §2.3.1 反射式高能电子衍射 | 第10-11页 |
| §2.3.2 俄歇电子能谱 | 第11-13页 |
| 第三章 稀磁半导体输运理论 | 第13-20页 |
| §3.1 反常霍尔效应 | 第13-15页 |
| §3.2 多种载流子输运性质 | 第15-18页 |
| §3.3 跳跃导电机制 | 第18-20页 |
| 第四章 稀磁半导体薄膜制备和测量 | 第20-24页 |
| §4.1 Fe_xSi_(1-x)薄膜生长 | 第20-21页 |
| §4.2 薄膜电学性质测量 | 第21-24页 |
| §4.2.1 薄膜图案制备 | 第21-22页 |
| §4.2.2 薄膜电阻测量 | 第22-24页 |
| 第五章 Fe_(0.04)Si_(0.96)薄膜输运性质研究 | 第24-33页 |
| §5.1 30K以上输运性质 | 第24-26页 |
| §5.2 30K以下输运性质 | 第26-31页 |
| §5.3 结论 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第35-36页 |
| 致谢 | 第36-37页 |