当前位置：
首页
--
工业技术
--
化学工业
--
金属元素的无机化合物化学工业
--
第Ⅲ族金属元素的无机化合物
--
镓主族（ⅢＡ族）元素的无机化合物
砷化镓纳米结构太阳能电池研究
单晶氧化镓研抛加工技术研究
MOCVD生长GaN的仿真模拟与应力分析
氧化镓粉体及其高致密靶材的制备研究
非补偿Fe-Sn共掺杂In2O3薄膜和纳米点阵列性质的研究
过渡金属离子注入β-Ga2O3的磁性分析
氮化镓中受主掺杂对光学和电学特性的影响研究
三维有序大孔氧化铟气敏传感器的设计
硅衬底GaN基LED光电性能及可靠性研究
GaAs纳米线阵列光阴极制备机理及其光谱响应仿真
不同转移工艺制备的垂直结构Si衬底GaN基LED光衰研究
磷化铟微纳光学阵列元件的约束刻蚀加工研究
垒结构对硅衬底GaN基绿光LED性能的影响
Ga2O3材料的制备及其性能研究
In4Se3系热电材料的制备及性能研究
粉煤灰资源化利用—树脂提镓及赤泥石灰乳法脱钠研究
砷化镓真空热分解过程研究
Si衬底GaN的外延生长研究
掺锡锑氧化铟IATO的水热制备与表征
MOCVD系统流场分析与反应室结构设计研究
砷化镓表面摩擦诱导结合H2SO4溶液选择性刻蚀的微纳加工研究
溶胶-凝胶法制备异质外延c轴取向GaN薄膜研究
有序介孔氧化铟的结构与成分调控及其气敏传感应用
N面GaN基HEMT器件的直流特性数值模拟和仿真研究
基于n型硫化铟纳米线的光电子器件性能研究
Ga2O3薄膜及其Mg掺杂的磁控溅射制备与性质研究
不同晶面砷化镓衬底化学机械抛光研究
共沉淀法制备ITO纳米粉末的研究
硒化镓薄片的制备与表面拉曼增强及场效应器件研究
GaN低维纳米材料与器件制备及性质研究
等离子体增强原子层沉积低温生长InN薄膜
不同形貌In（OH）3/In2O3及其复合材料的软模板法制备与应用研究
定向结晶法制备高纯镓工艺的优化研究
面向微纳系统应用的GaAs纳米线p-n结光电特性的研究
微纳结构In2O3半导体材料的制备及气敏性能研究
氧化铟材料的形貌可控制备及其乙醇气敏性能研究
Co/Sn非补偿p-n共掺杂调控In2O3稀磁氧化物的局域结构与磁性
富集—电解法回收氧化铝循环母液中镓的电流效率及杂质影响问题研究
基于β-Ga2O3的紫外探测器制备及其光电性能的测试研究
In2O3等金属氧化物敏感材料的制备及其气敏性能研究
纳米氧化铟薄膜的制备及性质研究
多孔结构In2O3的制备及气敏性能研究
Ce掺杂GaN纳米结构的制备及物性研究
过渡族元素掺杂GaN纳米结构的制备及其物性研究
表面活性剂条件下硼酸镓的合成结构及性能研究
GaAs纳米线阵列光阴极制备及其理论研究
掺杂In2Se3基半导体材料的结构与热电性能研究
基于氧化镓薄膜的异质结构制备及其性能研究
基于PVC热解生成HCl氯化回收LCD中的铟
In2O3分级结构的水热法制备及其性能研究
[1]
[2]
下一页
