单晶氧化镓研抛加工技术研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 课题来源及研究背景 | 第11-12页 |
| 1.1.1 课题来源 | 第11页 |
| 1.1.2 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 单晶氧化镓的性能 | 第12-16页 |
| 1.3 研抛加工技术研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3.1 研磨加工技术研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3.2 抛光加工技术研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 单晶氧化镓加工工艺 | 第21-29页 |
| 2.1 氧化镓晶体生长 | 第21-23页 |
| 2.2 氧化镓晶体切片 | 第23-24页 |
| 2.3 氧化镓晶片研磨 | 第24-26页 |
| 2.4 氧化镓晶片抛光 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 单晶氧化镓研磨加工实验研究 | 第29-51页 |
| 3.1 氧化镓用研磨垫的制备目的 | 第29页 |
| 3.2 氧化镓用研磨垫作用原理 | 第29-35页 |
| 3.2.1 聚合物的力学行为 | 第29-30页 |
| 3.2.2 理想弹性体 | 第30-31页 |
| 3.2.3 理想粘性体 | 第31页 |
| 3.2.4 线性粘弹体 | 第31-35页 |
| 3.3 氧化镓用研磨垫 | 第35-39页 |
| 3.3.1 氧化镓用研磨垫介绍 | 第35-36页 |
| 3.3.2 氧化镓用研磨垫的成分 | 第36-37页 |
| 3.3.3 氧化镓用研磨垫的制备过程 | 第37-39页 |
| 3.4 氧化镓研磨实验 | 第39-43页 |
| 3.4.1 研磨材料预备 | 第39-40页 |
| 3.4.2 研磨实验及检测设备 | 第40-42页 |
| 3.4.3 研磨实验参数设置 | 第42-43页 |
| 3.5 研磨结果与分析 | 第43-49页 |
| 3.5.1 晶片材料去除率 | 第43-44页 |
| 3.5.2 晶片表面形貌和表面粗糙度分析 | 第44-47页 |
| 3.5.3 研磨过程中解理现象分析 | 第47-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 单晶氧化镓化学机械抛光加工实验研究 | 第51-64页 |
| 4.1 氧化镓化学机械抛光机理 | 第51-52页 |
| 4.2 抛光垫对氧化镓化学机械抛光的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 氧化镓化学机械抛光实验 | 第53-58页 |
| 4.3.1 抛光样品准备 | 第53-54页 |
| 4.3.2 抛光加工过程 | 第54-56页 |
| 4.3.3 抛光前后氧化镓晶片的检测 | 第56-58页 |
| 4.4 抛光结果与分析抛光 | 第58-63页 |
| 4.4.1 抛光垫结构对氧化镓CMP的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.2 抛光垫粗糙度、硬度对氧化镓CMP影响 | 第60-62页 |
| 4.4.3 抛光垫涵养量对氧化镓CMP的影响 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64-65页 |
| 5.2 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文与科研成果 | 第71页 |
