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磷化铟微纳光学阵列元件的约束刻蚀加工研究

摘要第3-4页
ABSTRACT第4-5页
第1章 绪论第8-25页
    1.1 微机电系统介绍第8-10页
    1.2 现代微细加工技术第10-21页
        1.2.1 微细加工技术的分类第10-11页
        1.2.2 LIGA技术第11-13页
        1.2.3 硅基MEMS加工技术第13-15页
        1.2.4 微接触印刷技术第15-17页
        1.2.5 EFAB技术(Electrochemical Fabrication的简称)第17-18页
        1.2.6 超短电位脉冲电化学微加工技术第18-19页
        1.2.7 扫描电化学显微镜技术(SECM)第19-20页
        1.2.8 扫描探针显微镜技术(SPM)第20-21页
    1.3 约束刻蚀剂层技术(CELT)第21-23页
        1.3.1 当前微加工方法的总结第21-22页
        1.3.2 约束刻蚀剂层技术简介(CELT)第22-23页
    1.4 本论文的目标及设想第23-25页
第2章 实验部分第25-36页
    2.1 实验材料以及试剂第25-26页
        2.1.1 实验所用到的化学试剂第25页
        2.1.2 被加工材料第25-26页
        2.1.3 其它实验装置以及实验材料第26页
    2.2 工作电极的制作第26-29页
        2.2.1 微圆柱电极的制作方法第26-27页
        2.2.2 PMMA/Ti/Pt模板电极的制作第27-28页
        2.2.3 PMMA纳米热压印复制过程第28页
        2.2.4 PMMA/Ti/Pt模板电极的制作第28-29页
    2.3 电解池第29-30页
    2.4 超精密电化学微加工系统第30-34页
        2.4.1 仪器的组成及其性能第30-33页
        2.4.2 电化学微加工操作步骤第33-34页
    2.5 磷化铟表面的电接触点的化学镀镍第34页
    2.6 微结构表征方法简介第34-36页
        2.6.1 金相显微镜第34-35页
        2.6.2 扫描电子显微镜(SEM)第35页
        2.6.3 原子力显微镜(AFM)第35-36页
第3章 磷化铟的约束刻蚀机理研究第36-46页
    3.1 前言第36-37页
    3.2 刻蚀体系的筛选第37-38页
    3.3 HNO3体系对磷化铟刻蚀动力学研究第38-43页
        3.3.1 刻蚀速率的腐蚀失重法测定第38-41页
        3.3.2 塔菲尔曲线的测量以及电化学腐蚀速率的计算第41页
        3.3.3 捕捉剂的筛选第41-42页
        3.3.4 HNO3/HCl/H2O刻蚀的原理第42-43页
    3.4 Br2体系对磷化铟刻蚀动力学研究第43-45页
        3.4.1 Br2相关刻蚀体系的前期筛选第43页
        3.4.2 捕捉剂的筛选第43-45页
        3.4.3 利用Br2/HCl/L-胱氨酸体系对N型磷化铟进行CELT加工的原理第45页
    3.5 本章小结第45-46页
第4章 磷化铟刻蚀体系的筛选及优化第46-55页
    4.1 前言第46页
    4.2 Pt微圆柱电极的微孔加工实验第46-54页
        4.2.1 HNO3/HCl/NaOH体系的微孔加工实验第47-51页
        4.2.2 利用Br2/HCl/L-胱氨酸体系进行刻蚀加工第51-54页
    4.3 本章小结第54-55页
第5章 CELT技术用于磷化铟表面三维微结构的复制加工第55-65页
    5.1 前言第55-56页
    5.2 CELT加工过程中需要注意的问题第56-61页
        5.2.1 模板电极与磷化铟间的平行度问题第56-59页
        5.2.2 溶液的补充及更新问题第59-61页
    5.3 利用约束刻蚀剂层技术在N型磷化铟上制作微纳光学元件第61-64页
    5.4 本章小结第64-65页
第6章 研究工作总结与展望第65-67页
    6.1 本论文工作总结第65页
    6.2 后续研究工作展望第65-67页
参考文献第67-72页
致谢第72-73页

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