中文摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-17页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 In_2O_3的结构和性质 | 第10-11页 |
1.3 3d过渡金属掺杂In_2O_3磁性的研究 | 第11-13页 |
1.4 Sn掺杂In_2O_3局域表面等离子共振性质的研究 | 第13-15页 |
1.4.1 局域表面等离子共振的概念 | 第13-14页 |
1.4.2 Sn掺杂In_2O_3局域表面等离子共振性质的研究 | 第14-15页 |
1.5 本论文的研究内容 | 第15-17页 |
2 样品制备与表征 | 第17-27页 |
2.1 引言 | 第17页 |
2.2 靶材的制备 | 第17-18页 |
2.2.1 实验原料 | 第17-18页 |
2.2.2 靶材制备 | 第18页 |
2.3 Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜的制备 | 第18-19页 |
2.3.1 激光分子束外延设备 | 第18-19页 |
2.3.2 薄膜制备 | 第19页 |
2.4 Fe-Sn共掺杂In_2O_3纳米点阵列的制备 | 第19-21页 |
2.4.1 多孔阳极氧化铝模板的制备 | 第20-21页 |
2.4.2 纳米点阵列的制备 | 第21页 |
2.5 样品的表征 | 第21-27页 |
2.5.1 台阶仪 | 第21-22页 |
2.5.2 X-射线衍射仪 | 第22-23页 |
2.5.3 扫描电子显微镜 | 第23页 |
2.5.4 X-射线光电子谱 | 第23-24页 |
2.5.5 超导量子干涉仪 | 第24页 |
2.5.6 紫外-可见光谱仪 | 第24-25页 |
2.5.7 紫外-可见-近红外光谱仪 | 第25-27页 |
3 非补偿Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜的研究 | 第27-37页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 实验过程 | 第27页 |
3.3 结果与讨论 | 第27-35页 |
3.3.1 Sn掺杂量对Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜结构、价态、形貌和性质的影响 | 第27-33页 |
3.3.2 薄膜厚度对Fe-Sn共掺杂In_2O_3薄膜结构及性质的影响 | 第33-35页 |
3.4 本章小结 | 第35-37页 |
4 非补偿Fe-Sn共掺杂In_2O_3纳米点阵列的研究 | 第37-51页 |
4.1 引言 | 第37页 |
4.2 实验过程 | 第37-39页 |
4.3 结果与讨论 | 第39-48页 |
4.3.1 Fe-Sn共掺杂In_2O_3纳米点阵列的形貌 | 第39-41页 |
4.3.2 Sn的掺杂量对Fe-Sn共掺杂In_2O_3纳米点阵列结构和性质的影响 | 第41-46页 |
4.3.3 纳米点的尺寸对Fe-Sn共掺杂In_2O_3纳米点阵列结构和性质的影响 | 第46-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-51页 |
5 结论 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-57页 |
附录 | 第57-59页 |
在学期间的研究成果 | 第59-61页 |
致谢 | 第61页 |