摘要 | 第6-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-16页 |
第一章 绪论 | 第16-26页 |
1.1 稀磁半导体的发展 | 第16-18页 |
1.1.1 稀磁半导体简介 | 第16-17页 |
1.1.2 典型稀磁半导体材料的发展史与研究现状 | 第17-18页 |
1.2 Ga_2O_3半导体的性质和应用前景 | 第18-22页 |
1.2.1 Ga_2O_3的结构和性质 | 第19-20页 |
1.2.2 Ga_2O_3的应用前景 | 第20-22页 |
1.3 Ga_2O_3基稀磁半导体的研究进展 | 第22-23页 |
1.4 论文的结构及安排 | 第23-26页 |
第二章 过渡金属离子注入β-Ga_2O_3的制备方案和表征方法 | 第26-36页 |
2.1 过渡金属离子注入β-Ga_2O_3实验方案 | 第26-27页 |
2.1.1 Mn离子注入SRIM仿真及实验方案 | 第26-27页 |
2.1.2 Cr离子注入SRIM仿真及实验方案 | 第27页 |
2.2 离子注入技术 | 第27-29页 |
2.2.1 离子注入机的原理 | 第27-28页 |
2.2.2 离子注入技术的优势 | 第28-29页 |
2.3 材料的表征方法 | 第29-35页 |
2.3.1 X-射线衍射(XRD) | 第29-30页 |
2.3.2 拉曼光谱散射(Raman) | 第30-31页 |
2.3.3 超导量子干涉仪 | 第31-32页 |
2.3.4 光致发光光谱(PL) | 第32-33页 |
2.3.5 透射电子显微镜(TEM) | 第33-34页 |
2.3.6 二次离子质谱(SIMS) | 第34-35页 |
2.4 本章小结 | 第35-36页 |
第三章 锰离子注入Ga_2O_3稀磁半导体结构分析和磁性研究 | 第36-50页 |
3.1 锰离子注入样品的材料分析 | 第37-40页 |
3.1.1 拉曼测试分析 | 第37-38页 |
3.1.2 TEM测试分析 | 第38-39页 |
3.1.3 注入Mn离子的分布 | 第39-40页 |
3.2 锰离子注入样品的磁性分析 | 第40-41页 |
3.3 交换偏置效应 | 第41-44页 |
3.4 实验结果分析 | 第44-47页 |
3.5 本章小结 | 第47-50页 |
第四章 铬离子注入Ga_2O_3稀磁半导体结构分析和磁性研究 | 第50-58页 |
4.1 铬离子注入样品的材料分析 | 第50-55页 |
4.1.1 X-射线衍射测试分析 | 第50-52页 |
4.1.2 拉曼测试分析 | 第52-53页 |
4.1.3 光致发光光谱(PL)测试分析 | 第53-55页 |
4.2 铬离子注入样品的磁性分析 | 第55-57页 |
4.3 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 总结 | 第58-60页 |
5.1 本文工作总结 | 第58-59页 |
5.2 下一步工作展望 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
致谢 | 第64-66页 |
作者简介 | 第66-68页 |