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过渡金属离子注入β-Ga2O3的磁性分析

摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-16页
第一章 绪论第16-26页
    1.1 稀磁半导体的发展第16-18页
        1.1.1 稀磁半导体简介第16-17页
        1.1.2 典型稀磁半导体材料的发展史与研究现状第17-18页
    1.2 Ga_2O_3半导体的性质和应用前景第18-22页
        1.2.1 Ga_2O_3的结构和性质第19-20页
        1.2.2 Ga_2O_3的应用前景第20-22页
    1.3 Ga_2O_3基稀磁半导体的研究进展第22-23页
    1.4 论文的结构及安排第23-26页
第二章 过渡金属离子注入β-Ga_2O_3的制备方案和表征方法第26-36页
    2.1 过渡金属离子注入β-Ga_2O_3实验方案第26-27页
        2.1.1 Mn离子注入SRIM仿真及实验方案第26-27页
        2.1.2 Cr离子注入SRIM仿真及实验方案第27页
    2.2 离子注入技术第27-29页
        2.2.1 离子注入机的原理第27-28页
        2.2.2 离子注入技术的优势第28-29页
    2.3 材料的表征方法第29-35页
        2.3.1 X-射线衍射(XRD)第29-30页
        2.3.2 拉曼光谱散射(Raman)第30-31页
        2.3.3 超导量子干涉仪第31-32页
        2.3.4 光致发光光谱(PL)第32-33页
        2.3.5 透射电子显微镜(TEM)第33-34页
        2.3.6 二次离子质谱(SIMS)第34-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第三章 锰离子注入Ga_2O_3稀磁半导体结构分析和磁性研究第36-50页
    3.1 锰离子注入样品的材料分析第37-40页
        3.1.1 拉曼测试分析第37-38页
        3.1.2 TEM测试分析第38-39页
        3.1.3 注入Mn离子的分布第39-40页
    3.2 锰离子注入样品的磁性分析第40-41页
    3.3 交换偏置效应第41-44页
    3.4 实验结果分析第44-47页
    3.5 本章小结第47-50页
第四章 铬离子注入Ga_2O_3稀磁半导体结构分析和磁性研究第50-58页
    4.1 铬离子注入样品的材料分析第50-55页
        4.1.1 X-射线衍射测试分析第50-52页
        4.1.2 拉曼测试分析第52-53页
        4.1.3 光致发光光谱(PL)测试分析第53-55页
    4.2 铬离子注入样品的磁性分析第55-57页
    4.3 本章小结第57-58页
第五章 总结第58-60页
    5.1 本文工作总结第58-59页
    5.2 下一步工作展望第59-60页
参考文献第60-64页
致谢第64-66页
作者简介第66-68页

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