| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 氧化镓材料的基本性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 β-Ga_2O_3的结构特点 | 第11-13页 |
| 1.2.2 氧化镓的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.3 氧化镓材料的应用和研究进展 | 第14-18页 |
| 1.3.1 氧化镓材料的应用 | 第14-15页 |
| 1.3.2 氧化镓薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| 1.4 研究课题的选取 | 第18-19页 |
| 第二章 氧化镓薄膜的制备与表征 | 第19-28页 |
| 2.1 氧化镓薄膜的制备 | 第19-23页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射系统 | 第19-20页 |
| 2.1.2 薄膜沉积基本原理 | 第20-21页 |
| 2.1.3 薄膜的制备 | 第21-23页 |
| 2.2 氧化镓薄膜的表征与测试 | 第23-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第24-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-26页 |
| 2.2.3 光致发光（PL） | 第26页 |
| 2.2.4 光学透过谱 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 氧化镓薄膜结构特性和光学性质 | 第28-38页 |
| 3.1 氧化镓薄膜的结构特性 | 第28-33页 |
| 3.1.1 X-射线衍射（XRD） | 第28-29页 |
| 3.1.2 氧分压对薄膜生长的影响 | 第29-31页 |
| 3.1.3 衬底温度对薄膜生长的影响 | 第31-32页 |
| 3.1.4 退火温度对薄膜结构的影响 | 第32-33页 |
| 3.2 光学特性 | 第33-37页 |
| 3.2.1 光学透过率 | 第33-36页 |
| 3.2.2 光致发光谱 | 第36-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 氧化镓薄膜的光电特性 | 第38-48页 |
| 4.1 光电探测器的主要分类及工作原理 | 第38-39页 |
| 4.2 Ga_2O_3探测器的制备及性能测试平台 | 第39-41页 |
| 4.2.1 Ga_2O_3探测器的结构和制备工艺 | 第39-40页 |
| 4.2.2 Ga_2O_3探测器的性能参数及测试平台 | 第40-41页 |
| 4.3 工艺参数对Ga_2O_3薄膜光响应性能的影响 | 第41-47页 |
| 4.3.1 氧分压对样品光电响应的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.2 衬底对Ga_2O_3薄膜光电性能的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 激发光源对光电响应的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.4 偏置电压对样品光电响应特性的影响 | 第46页 |
| 4.3.5 电极形状对光电响应的影响 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 氧化镓纳米材料的CVD法制备及表征 | 第48-56页 |
| 5.1 Ga_2O_3纳米颗粒制备过程 | 第48-50页 |
| 5.1.1 实验设备 | 第48-49页 |
| 5.1.2 Ga_2O_3纳米颗粒的CVD法制备 | 第49-50页 |
| 5.2 β- Ga_2O_3纳米颗粒的表征 | 第50-52页 |
| 5.3 不同工艺条件对制备Ga_2O_3纳米结构的影响 | 第52-55页 |
| 5.3.1 温度对Ga_2O_3纳米颗粒的影响 | 第52-53页 |
| 5.3.2 时间对Ga_2O_3纳米颗粒的影响 | 第53-54页 |
| 5.3.3 Ga_2O_3纳米颗粒的生长机制讨论 | 第54-55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 6.1 结论 | 第56页 |
| 6.2 展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第64-65页 |
