| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| 1.1 前言 | 第13-16页 |
| 1.1.1 纳米材料 | 第13-14页 |
| 1.1.2 GaN材料 | 第14-16页 |
| 1.2 GaN一维纳米材料的生长方式 | 第16-18页 |
| 1.3 GaN一维纳米材料的研究进展 | 第18-21页 |
| 1.4 GaN基二维发光材料与器件研究进展 | 第21-27页 |
| 1.5 本论文的研究内容、目的以及意义 | 第27-29页 |
| 第二章 实验所用到的仪器及其工作原理 | 第29-35页 |
| 2.1 生长仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.1 磁控溅射仪 | 第29-30页 |
| 2.1.2 化学气相沉积系统 | 第30页 |
| 2.2 测试仪器 | 第30-35页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第31-32页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第32-33页 |
| 2.2.4 X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| 2.2.5 光致发光系统 | 第34-35页 |
| 第三章 GaN纳米塔的生长、场发射及生长机制研究 | 第35-42页 |
| 3.1 GaN纳米塔的生长过程 | 第35-36页 |
| 3.2 GaN纳米塔的形貌、结构及场发射研究 | 第36-41页 |
| 3.2.1 形貌分析 | 第36-37页 |
| 3.2.2 结构分析 | 第37-38页 |
| 3.2.3 GaN纳米塔及塔状纳米线生长机制探讨 | 第38-39页 |
| 3.2.4 场发射分析 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 GaN一维纳米材料可控生长及生长机制研究 | 第42-53页 |
| 4.1 生长时间对GaN一维纳米材料生长的影响 | 第42-46页 |
| 4.2 生长温度对GaN一维纳米材料生长的影响 | 第46-49页 |
| 4.3 反应气源流量对GaN一维纳米材料生长的影响 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 基于GaN纳米线与Ag纳米线的全纳米线结构光电探测器制备及测试 | 第53-60页 |
| 5.1 实验部分 | 第53-54页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第54-58页 |
| 5.2.1 形貌与结构分析 | 第54-55页 |
| 5.2.2 光电性能分析 | 第55-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 基于两个系列InGaN/GaN多量子阱蓝光发射结构的光学及结构研究 | 第60-68页 |
| 6.1 芯片设计与实验部分 | 第61-62页 |
| 6.2 结果与分析 | 第62-66页 |
| 6.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 攻博期间发表的与学位论文相关的科研成果目录 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
