| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 InN薄膜的研究进展及应用 | 第10-12页 |
| 1.3 InN材料的基本性质 | 第12-15页 |
| 1.3.1 InN的结构特性 | 第12-13页 |
| 1.3.2 InN的电学特性 | 第13-14页 |
| 1.3.3 InN的光学特性 | 第14-15页 |
| 1.4 本题的选题依据 | 第15-17页 |
| 1.4.1 InN薄膜的生长方法的选择 | 第15-17页 |
| 1.4.2 InN薄膜的生长衬底的选择 | 第17页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容及工作安排 | 第17-19页 |
| 第2章 等离子辅助原子层沉积系统及表征方法 | 第19-26页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 PE-ALD系统简介 | 第20-24页 |
| 2.2.1 PE-ALD的原理简介 | 第20-21页 |
| 2.2.2 本论文中用于制备InN薄膜的PE-ALD系统 | 第21-24页 |
| 2.3 薄膜质量的表征方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射法（XRD） | 第24页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第25页 |
| 2.3.4 椭偏仪 | 第25-26页 |
| 第3章 InN薄膜的生长及优化 | 第26-36页 |
| 3.1 衬底的处理 | 第26-27页 |
| 3.2 In源出源温度的确定 | 第27-29页 |
| 3.3 射频功率大小的确定 | 第29-31页 |
| 3.4 衬底温度的确定 | 第31-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 InN薄膜材料在不同衬底上生长及对比研究 | 第36-54页 |
| 4.1 衬底的选取 | 第36页 |
| 4.2 不同衬底下InN薄膜的生长 | 第36-37页 |
| 4.3 不同衬底温度在Zn O衬底上的InN薄膜生长 | 第37页 |
| 4.4 结果与分析 | 第37-53页 |
| 4.4.1 高分辨XRD分析 | 第37-44页 |
| 4.4.2 不同衬底的SEM分析 | 第44-48页 |
| 4.4.3 不同衬底上的AFM分析 | 第48-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |