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微纳结构In2O3半导体材料的制备及气敏性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-31页
    1.1 引言第9页
    1.2 半导体气体传感器概述第9-16页
        1.2.1 半导体气体传感器研究进展第9-10页
        1.2.2 半导体气体传感器的参数及类型第10-13页
        1.2.3 半导体气体传感器的气敏机理第13-14页
        1.2.4 气体传感器的应用第14-16页
    1.3 半导体气敏材料的研究现状第16-26页
        1.3.1 纳米材料的研究现状第16-17页
        1.3.2 几种典型半导体金属氧化物研究现状第17-26页
    1.4 气体传感性能的影响因素第26-30页
    1.5 本文的选题意义和研究内容第30-31页
第2章 空心In_2O_3微米球的组装及甲醛气敏性能研究第31-51页
    2.1 引言第31-32页
    2.2 实验部分第32-34页
        2.2.1 实验试剂及原料第32页
        2.2.2 超薄纳米片组装的空心球(UV-In_2O_3-T)的合成第32-33页
        2.2.3 测试仪器及型号第33页
        2.2.4 气体传感器的器件组成及制备第33页
        2.2.5 气体传感器的测试系统第33-34页
    2.3 结果与讨论第34-49页
        2.3.1 空心微米球(UV-In-OH)的合成及表征第34-39页
        2.3.2 空心In_2O_3微米球的形成及表征第39-43页
        2.3.3 超薄纳米片组装的In_2O_3空心球的气敏性能第43-49页
    2.4 本章小结第49-51页
第3章 介孔In_2O_3超薄纳米片的制备及NO_x气敏性能研究第51-65页
    3.1 引言第51-52页
    3.2 实验部分第52-53页
        3.2.1 实验试剂及原料第52页
        3.2.2 介孔In_2O_3超薄纳米片的合成第52-53页
        3.2.3 表征仪器第53页
        3.2.4 气体传感器的器件组成及制备第53页
    3.3 结果与讨论第53-64页
        3.3.1 介孔In_2O_3超薄纳米片的合成及表征第53-58页
        3.3.2 介孔In_2O_3超薄纳米片的气敏性能第58-64页
    3.4 本章小结第64-65页
第4章 结论与展望第65-66页
    4.1 结论第65页
    4.2 展望第65-66页
参考文献第66-80页
作者简历及攻读硕士学位期间的研究成果第80-81页
    作者简历第80页
    攻读硕士学位期间的研究成果第80-81页
致谢第81页

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