| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 GaN 材料概述 | 第8-9页 |
| 1.2 GaN 半导体材料的应用 | 第9-10页 |
| 1.2.1 GaN 材料在光电领域的应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 GaN 材料在电力电子器件领域中的应用 | 第10页 |
| 1.3 Si 基 GaN 外延生长的研究 | 第10-13页 |
| 1.3.1 GaN 材料外延生长的衬底选择 | 第10-11页 |
| 1.3.2 Si 衬底 GaN 外延生长的意义 | 第11页 |
| 1.3.3 Si 衬底外延 GaN 的主要困难 | 第11-12页 |
| 1.3.4 Si 衬底 GaN 外延生长的现状 | 第12-13页 |
| 1.4 小结 | 第13-14页 |
| 第二章 MOCVD 外延生长 GaN 的主要原理 | 第14-22页 |
| 2.1 制备 GaN 材料的常用方法 | 第14页 |
| 2.2 MOCVD 系统的组成及生长原理 | 第14-18页 |
| 2.2.1 MOCVD 的基本原理 | 第14-15页 |
| 2.2.2 MOCVD 系统的组成 | 第15-18页 |
| 2.3 GaN 材料外延生长模式 | 第18-20页 |
| 2.4 小结 | 第20-22页 |
| 第三章 GaN 材料的测试和表征方法 | 第22-30页 |
| 3.1 基于光学显微镜的 GaN 表面形貌观察 | 第22-23页 |
| 3.2 基于 XRD 的 GaN 材料测试 | 第23-25页 |
| 3.2.1 XRD 仪的工作原理 | 第23-24页 |
| 3.2.2 X 射线双晶扫描方法 | 第24页 |
| 3.2.3 基于 XRD 扫描的晶格常数计算和结晶质量分析 | 第24-25页 |
| 3.3 基于原子力显微镜（AFM）的 GaN 材料分析 | 第25-27页 |
| 3.3.1 AFM 的基本原理 | 第25-26页 |
| 3.3.2 AFM 的优点 | 第26-27页 |
| 3.4 基于拉曼散射的应力测试 | 第27-28页 |
| 3.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 第四章 Si 衬底 GaN 材料的外延生长方法 | 第30-50页 |
| 4.1 Si 衬底 GaN 材料外延生长的方法研究 | 第30-32页 |
| 4.2 Si 衬底外延 GaN 材料的前期处理 | 第32页 |
| 4.4 高温 AlN 缓冲层的设计 | 第32-37页 |
| 4.4.1 高温 AlN 的生长模式 | 第32-33页 |
| 4.4.2 高温 AlN 缓冲层厚度对 GaN 外延层的影响 | 第33-37页 |
| 4.5 低温 AlN 插入层对材料生长的影响 | 第37-39页 |
| 4.6 采用渐变 Al 组分的 AlxGa1-xN 缓冲层的方法研究 | 第39-48页 |
| 4.6.1 AlXGa1-XN 缓冲层的厚度对 GaN 层的影响 | 第40-44页 |
| 4.6.2 双 AlXGa1-XN 缓冲层对 GaN 层的影响 | 第44-48页 |
| 4.7 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
