| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-16页 |
| 1.1.1 N面GaN基材料的基本特性 | 第8-11页 |
| 1.1.2 N面GaN材料的应用和发展现状 | 第11-13页 |
| 1.1.3 N面GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管 | 第13-16页 |
| 1.2 研究意义 | 第16-17页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 TCAD仿真工具和物理模型 | 第18-28页 |
| 2.1 Sentaurus TCAD模拟仿真平台 | 第18-19页 |
| 2.2 器件仿真中的物理模型 | 第19-27页 |
| 2.2.1 静电势和准费米能级 | 第19-20页 |
| 2.2.2 载流子的传输模型 | 第20-23页 |
| 2.2.3 温度方程 | 第23-26页 |
| 2.2.4 边界条件 | 第26-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 N面GaN基HEMT器件结构模型及能带 | 第28-37页 |
| 3.1 N面GaN基HEMT器件结构 | 第28-29页 |
| 3.2 N面GaN/AlGaN/GaN HEMT器件的物理模型 | 第29-35页 |
| 3.2.1 N面GaN/AlGaN的极化模型 | 第29-31页 |
| 3.2.2 N面GaN基HEMT器件传输模型 | 第31-35页 |
| 3.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 N面GaN基HEMT器件模拟结果分析 | 第37-45页 |
| 4.1 N面GaN基HEMT器件模拟直流输出特性 | 第37-42页 |
| 4.1.1 Al组分对N面GaN基HEMT器件直流特性的影响 | 第38-39页 |
| 4.1.2 栅级长度对N面GaN基HEMT器件直流特性的影响 | 第39-41页 |
| 4.1.3 AlGaN势垒层厚度对N面GaN基HEMT器件直流特性的影响 | 第41-42页 |
| 4.2 背底Si掺杂对二维电子气的影响 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结与展望 | 第45-47页 |
| 附录 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 攻读硕士学位期间完成的科研成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
