| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·金属氧化物半导体材料在化学领域的应用 | 第11-12页 |
| ·金属氧化物半导体材料的分类 | 第11页 |
| ·纳米金属氧化物半导体材料简介 | 第11-12页 |
| ·纳米氧化铟的研究进展和应用前景 | 第12-13页 |
| ·氧化铟材料的制备方法 | 第12-13页 |
| ·纳米氧化铟气敏传感器的研究现状 | 第13-15页 |
| ·纳米氧化铟的气敏机理 | 第14-15页 |
| ·提高氧化铟气敏性能的途径 | 第15页 |
| ·关于半导体氧化物光解水的研究现状 | 第15-19页 |
| ·光解水机理 | 第16-17页 |
| ·半导体氧化物光解水在带隙宽度的可行性 | 第17-18页 |
| ·关于半导体氧化物In2O3光解水的机理和研究现状 | 第18-19页 |
| ·本文的研究目的、意义和主要内容 | 第19-21页 |
| ·本论文的目的和意义 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 基于普通玻璃基片的氧化铟八面体薄膜制备及其气敏性能研究 | 第21-39页 |
| ·实验部分 | 第21-24页 |
| ·实验试剂与仪器 | 第21-22页 |
| ·纳米氧化铟八面体薄膜的制备及其表征 | 第22-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-38页 |
| ·探讨纳米氧化铟薄膜的制备条件 | 第24-31页 |
| ·纳米氧化铟薄膜的表征 | 第31-35页 |
| ·纳米氧化铟薄膜的气敏性能研究 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 基于FTO基片的掺氮氧化铟八面体薄膜的制备及其光解水性质研究 | 第39-49页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·在FTO基片上制备氧化铟薄膜及其进行掺氮改性 | 第39页 |
| ·FTO基片上氧化铟薄膜的表征 | 第39页 |
| ·FTO基片上氧化铟薄膜的光解水性质测试 | 第39-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-47页 |
| ·探讨在FTO导电基片上掺氮纳米氧化铟薄膜的制备条件 | 第40-41页 |
| ·FTO导电基片上掺氮纳米氧化铟薄膜的XRD表征 | 第41-42页 |
| ·FTO导电基片上掺氮纳米氧化铟薄膜的SEM表征 | 第42-44页 |
| ·FTO导电基片上掺氮前后纳米氧化铟薄膜的吸收光谱表征 | 第44-45页 |
| ·FTO导电基片上掺氮前后纳米氧化铟薄膜的光解水性质研究 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60页 |
