| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-13页 |
| 1.2 GaN晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.3 GaN的物化性质 | 第14-15页 |
| 1.3.1 GaN的基本性质 | 第14-15页 |
| 1.3.2 GaN的电学性质 | 第15页 |
| 1.3.3 GaN的光学性质 | 第15页 |
| 1.4 GaN薄膜的制备技术 | 第15-19页 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法 | 第15-17页 |
| 1.4.2 其他制备技术 | 第17-19页 |
| 1.5 常用的基底材料 | 第19-20页 |
| 1.5.1 单晶硅(Si) | 第19-20页 |
| 1.5.2 蓝宝石(α-Al_2O_3) | 第20页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 实验过程与分析表征 | 第22-26页 |
| 2.1 实验仪器和实验药品 | 第22页 |
| 2.2 实验过程 | 第22-24页 |
| 2.3 样品表征技术 | 第24-26页 |
| 第3章 GaN/Si(111)薄膜外延生长研究 | 第26-42页 |
| 3.1 工艺参数对薄膜生长的影响 | 第26-36页 |
| 3.1.1 浓度参数 | 第26-29页 |
| 3.1.2 氮化时间 | 第29-31页 |
| 3.1.3 退火温度 | 第31-33页 |
| 3.1.4 溶剂种类 | 第33-36页 |
| 3.2 最佳工艺条件下的GaN/Si(111)薄膜特性分析 | 第36-40页 |
| 3.2.1 薄膜结构分析 | 第36-39页 |
| 3.2.2 光学性能分析 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 GaN/α-Al_2O_3(0001)薄膜外延生长研究 | 第42-51页 |
| 4.1 实验过程及参数 | 第42页 |
| 4.2 不同温度下GaN/α-Al_2O_3(0001)薄膜特性分析 | 第42-50页 |
| 4.2.1 薄膜结构分析 | 第42-48页 |
| 4.2.2 光学性能分析 | 第48-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第60页 |
