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垒结构对硅衬底GaN基绿光LED性能的影响

摘要第3-5页
Abstract第5-8页
第1章 绪论第11-27页
    1.1 引言第11页
    1.2 GaN材料基本性质第11-15页
        1.2.1 GaN的晶体结构第11-13页
        1.2.2 GaN的物理与化学性质第13-14页
        1.2.3 GaN的能带结构和光学特性第14-15页
    1.3 GaN基LED简介第15-18页
        1.3.1 GaN基LED发展历程第15页
        1.3.2 GaN基LED应用于固态照明的前景和挑战第15-16页
        1.3.3 Si衬底GaN基LED发展简介第16-18页
    1.4 GaN基绿光LED简介第18-25页
        1.4.1 GaN基绿光LED发光效率低的原因阐述第19-20页
        1.4.2 报道提高GaN基绿光LED发光效率的方法第20-25页
    1.5 本论文的研究内容及行文安排第25-27页
第2章 垒结构对GaN on Si基绿光LED性能的影响第27-54页
    2.1 引言第27页
    2.2 垒结构对Si衬底GaN基绿光LED量子阱应力的影响第27-35页
        2.2.1 高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)第28-30页
        2.2.2 实验第30-31页
        2.2.3 实验结果与讨论第31-34页
        2.2.4 小结第34-35页
    2.3 垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响第35-47页
        2.3.1 引言第35页
        2.3.2 实验第35-36页
        2.3.3 实验结果与讨论第36-46页
        2.3.4 小结第46-47页
    2.4 垒结构对Si衬底GaN基绿光LED老化性能的影响第47-52页
        2.4.1 引言第47页
        2.4.2 实验第47-48页
        2.4.3 实验结果与讨论第48-52页
        2.4.4 小结第52页
    2.5 本章小结第52-54页
第3章 Si衬底GaN基绿光LED结温测试第54-62页
    3.1 引言第54页
    3.2 实验第54-56页
    3.3 实验结果与讨论第56-61页
    3.4 本章小结第61-62页
第4章 外部应力对Si衬底GaN基LED性能的影响第62-67页
    4.1 引言第62-63页
    4.2 实验第63-64页
    4.3 实验结果和讨论第64-66页
    4.4 小结第66-67页
第5章 结论第67-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-76页

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