| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 稀磁半导体的研究概况 | 第9-13页 |
| 1.2.1 稀磁半导体的概况 | 第9-11页 |
| 1.2.2 稀磁半导体的铁磁性起源 | 第11-13页 |
| 1.3 In_2O_3基稀磁半导体 | 第13-22页 |
| 1.3.1 In_2O_3的结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 In_2O_3基稀磁半导体的研究现状 | 第14-22页 |
| 1.4 本论文的创新点及研究目的 | 第22页 |
| 1.5 研究的内容和方法 | 第22-24页 |
| 1.5.1 薄膜的制备 | 第22页 |
| 1.5.2 局域结构分析 | 第22-23页 |
| 1.5.3 物理性能分析 | 第23-24页 |
| 第二章 薄膜样品的制备与表征方法 | 第24-33页 |
| 2.1 薄膜样品制备方法的选择 | 第24-27页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 制备In_2O_3薄膜的实验设备和制备过程 | 第25-27页 |
| 2.2 表征方法 | 第27-32页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第27页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜（TEM） | 第27-28页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱（XPS） | 第28-29页 |
| 2.2.4 X射线吸收精细结构（X-ray Absorption Fine structure, XAFS） | 第29-30页 |
| 2.2.5 表面形貌测试仪(台阶仪) | 第30页 |
| 2.2.6 电输运性能的测量 | 第30-31页 |
| 2.2.7 磁学性能的测量 | 第31页 |
| 2.2.8 光学性能的测量 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 (In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜的制备、结构与性能 | 第33-53页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-51页 |
| 3.3.1 (In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜的XRD分析 | 第34-36页 |
| 3.3.2 (In_(0.93)Co_(0.05)Sn_(0.02))_2O_3薄膜的价态分析 | 第36-37页 |
| 3.3.3 Co的掺杂含量对(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜局域结构的影响 | 第37-43页 |
| 3.3.4 Co的掺杂含量对(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜磁学性质的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.5 Co的掺杂含量对(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜输运性能的影响 | 第44-48页 |
| 3.3.6 Co的掺杂含量对(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.7 Co掺杂含量变化的共掺杂In_2O_3薄膜磁电阻特性分析 | 第49-51页 |
| 3.4 Co掺杂含量变化的(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜磁性来源 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 (In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜的制备、结构与性能 | 第53-76页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 实验过程 | 第53-54页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第54-74页 |
| 4.3.1 (In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜的XRD分析 | 第54-56页 |
| 4.3.2 (In_(0.90)Co_(0.05)Sn_(0.05))_2O_3薄膜的TEM分析 | 第56-58页 |
| 4.3.3 (In_(0.90)Co_(0.05)Sn_(0.05))_2O_3薄膜的价态分析 | 第58-59页 |
| 4.3.4 Sn的掺杂含量对(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜局域结构的影响 | 第59-66页 |
| 4.3.5 Sn的掺杂含量对(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜磁学性质的影响 | 第66-67页 |
| 4.3.6 Sn的掺杂含量对(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜输运性能的影响 | 第67-71页 |
| 4.3.7 Sn的掺杂含量对(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第71-72页 |
| 4.3.8 Sn掺杂含量变化的共掺杂In_2O_3薄膜磁电阻特性分析 | 第72-74页 |
| 4.4 Sn掺杂含量变化的(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3薄膜磁性来源 | 第74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
