| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·纳米材料概述 | 第7-9页 |
| ·纳米材料定义及分类 | 第7页 |
| ·纳米材料的基本物理效应 | 第7-9页 |
| ·GaN材料简介 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·GaN基材料的光学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN基材料的电学性质 | 第12页 |
| ·GaN基材料的磁学性质 | 第12-14页 |
| ·GaN基材料制备 | 第14-15页 |
| ·本文选题依据 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-22页 |
| 第二章 Sm掺杂GaN纳米线的制备及表征 | 第22-39页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·实验部分 | 第22-24页 |
| ·样品的制备 | 第22-24页 |
| ·样品的表征 | 第24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-34页 |
| ·样品的XRD表征及分析 | 第24-26页 |
| ·样品的SEM表征及分析 | 第26-27页 |
| ·样品的Mapping表征及分析 | 第27-30页 |
| ·样品的HRTEM表征及分析 | 第30-32页 |
| ·样品的PL表征及分析 | 第32-33页 |
| ·样品的磁学表征及分析 | 第33-34页 |
| ·结论 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-39页 |
| 第三章 Sm掺杂GaN粉体的制备与表征 | 第39-54页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验 | 第39-41页 |
| ·样品的制备 | 第39-41页 |
| ·样品的表征 | 第41页 |
| ·结果与讨论 | 第41-50页 |
| ·样品的XRD表征及分析 | 第41-43页 |
| ·样品的SEM表征及分析 | 第43-45页 |
| ·样品mapping表征及分析 | 第45页 |
| ·样品的PL表征及分析 | 第45-46页 |
| ·样品的介电性能表征及分析 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第四章 MoCl5对GaN纳米线生长微观形貌的影响 | 第54-69页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验 | 第54-56页 |
| ·样品的制备 | 第54-55页 |
| ·样品表征 | 第55-56页 |
| ·结果及讨论 | 第56-65页 |
| ·样品的XRD表征及分析 | 第56-57页 |
| ·样品的SEM、EDS表征及分析 | 第57-64页 |
| ·样品的PL表征及分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第69-71页 |
| ·工作总结 | 第69-70页 |
| ·工作展望 | 第70-71页 |
| 附录 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |