| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 GaN基LED的发展史 | 第9-10页 |
| 1.3 GaN材料基本性质 | 第10-13页 |
| 1.3.1 GaN的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.3.2 GaN物理化学性质 | 第11-12页 |
| 1.3.3 GaN的能带结构与光电特性 | 第12-13页 |
| 1.4 GaN外延薄膜的生长 | 第13-18页 |
| 1.4.1 GaN三种衬底材料 | 第13-15页 |
| 1.4.2 MOCVD设备 | 第15-18页 |
| 1.5 硅衬底GaN基绿光LED外延薄膜结构 | 第18页 |
| 1.6 硅衬底GaN基LED垂直结构芯片工艺 | 第18-20页 |
| 1.7 本论文的行文安排 | 第20-22页 |
| 第二章 硅衬底GaN基绿光LED电子阻挡层（EBL）的优化 | 第22-37页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 所用仪器与设备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 高分辨XRD （HRXRD） | 第23-24页 |
| 2.2.2 电致发光测试系统 | 第24-25页 |
| 2.3 实验方案设计 | 第25-27页 |
| 2.4 实验结果与讨论 | 第27-36页 |
| 2.4.1 光功率LOP的变化 | 第27-30页 |
| 2.4.2 工作电压（VF2）的变化 | 第30-32页 |
| 2.4.3 老化过程中光功率（LOP）的变化 | 第32-33页 |
| 2.4.4 老化过程中工作电压（VF2）的变化 | 第33-36页 |
| 2.5 小结 | 第36-37页 |
| 第三章 Mg掺杂浓度对硅衬底GaN基LED外延片表面形貌的影响 | 第37-47页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 所用仪器与设备 | 第37-41页 |
| 3.2.1 原子力显微镜（AFM） | 第37-38页 |
| 3.2.2 二次离子质谱仪（SIMS） | 第38-41页 |
| 3.3 现象与分析 | 第41-43页 |
| 3.4 老化过程中工作电压（VF2）的变化 | 第43-46页 |
| 3.5 小结 | 第46-47页 |
| 第四章 IR在电应力作用下老化过程中的研究 | 第47-54页 |
| 4.1 引言 | 第47-48页 |
| 4.2 实验方案设计 | 第48-50页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第50-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |