面向微纳系统应用的GaAs纳米线p-n结光电特性的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 研究意义 | 第9页 |
| 1.3 论文安排 | 第9-10页 |
| 第二章 光电转换技术发展 | 第10-27页 |
| 2.1 传统光电转换技术 | 第10-19页 |
| 2.1.1 光电管 | 第10-11页 |
| 2.1.2 光电倍增管 | 第11-13页 |
| 2.1.3 光电二极管 | 第13-14页 |
| 2.1.4 光电三极管 | 第14页 |
| 2.1.5 光电池 | 第14-18页 |
| 2.1.6 传统技术未来的发展方向 | 第18-19页 |
| 2.2 纳米线在光电转换上的应用 | 第19-23页 |
| 2.2.1 结的形成 | 第20-21页 |
| 2.2.2 尺度优势 | 第21-23页 |
| 2.3 纳米线光电器件性能的提升 | 第23-26页 |
| 2.3.1 光子吸收 | 第23-25页 |
| 2.3.2 激子形成 | 第25页 |
| 2.3.3 电荷分离 | 第25页 |
| 2.3.4 载流子收集 | 第25-26页 |
| 2.3.5 成本优势 | 第26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GaAs纳米线电学特性研究 | 第27-42页 |
| 3.1 基本物理方程与仿真算法 | 第27-32页 |
| 3.1.1 基本方程 | 第27-28页 |
| 3.1.2 仿真算法 | 第28-31页 |
| 3.1.3 数值方法 | 第31-32页 |
| 3.2 纳米线p-n结国际上的研究现状 | 第32-34页 |
| 3.3 电学特性仿真结果 | 第34-40页 |
| 3.3.1 仿真模型 | 第34页 |
| 3.3.2 电荷电场分布 | 第34-36页 |
| 3.3.3 掺杂浓度影响 | 第36-37页 |
| 3.3.4 半径影响 | 第37-38页 |
| 3.3.5 高度影响 | 第38-40页 |
| 3.4 微操作探针的制备 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 GaAs纳米线光电特性研究 | 第42-54页 |
| 4.1 光电特性求解方法 | 第42-47页 |
| 4.2 光电特性仿真结果 | 第47-53页 |
| 4.2.1 仿真模型 | 第47页 |
| 4.2.2 温度影响 | 第47-49页 |
| 4.2.3 功率影响 | 第49-51页 |
| 4.2.4 波长影响 | 第51-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第59页 |
