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掺杂In2Se3基半导体材料的结构与热电性能研究

摘要第1-5页
abstract第5-9页
第一章 绪论第9-21页
   ·引言第9页
   ·热电效应及性能参数第9-13页
     ·热电效应第9-11页
     ·热电材料性能参数第11-13页
   ·热电材料研究现状与前景第13-17页
     ·近室温用半导体热电材料第13-14页
     ·中温用方钴矿(Skutterudide)热电材料第14-15页
     ·中温用金属硅化物型热电材料第15-16页
     ·中高温用Half-Heusler型热电材料第16页
     ·中高温用氧化物型热电材料第16-17页
   ·In_2Se_3基热电材料第17-21页
第二章 实验第21-25页
   ·材料制备第21-22页
   ·实验设备第22页
   ·材料性能表征第22-25页
     ·电学性能测试第22-23页
     ·热学性能测试第23页
     ·其它物理性能测试第23-25页
第三章 S掺杂In_2Se_3基半导体的结构及热电性能研究第25-35页
   ·引言第25页
   ·材料的制备第25页
   ·结果与讨论第25-33页
     ·微观结构分析第25-27页
     ·X射线光电子能谱分析第27-28页
     ·紫外吸收光谱分析第28-29页
     ·热电性能分析第29-31页
     ·霍尔系数第31-32页
     ·拉曼光谱分析第32-33页
   ·小结第33-35页
第四章 锂掺杂In_2Se_3基半导体的结构及热电性能研究第35-45页
   ·引言第35页
   ·材料的制备第35-36页
   ·结果与讨论第36-42页
     ·微观结构分析第36-37页
     ·X射线光电子能谱分析第37-38页
     ·热电性能分析第38-41页
     ·霍尔系数第41页
     ·拉曼光谱分析第41-42页
   ·小结第42-45页
第五章 结论第45-47页
参考文献第47-51页
致谢第51-53页
攻读硕士期间发表的论文第53页

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