| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·氧化镓材料简介 | 第10-13页 |
| ·β-Ga_2O_3的结构及性能 | 第10-11页 |
| ·β-Ga_2O_3的研究现状及应用前景 | 第11-13页 |
| ·氧化镓基异质结研究进展 | 第13-14页 |
| ·氧化亚铜的相关结构及性能 | 第14-15页 |
| ·Cu_2O的结构与性能 | 第14-15页 |
| ·Cu_2O的研究现状及应用前景 | 第15页 |
| ·阻变存储器简介 | 第15-22页 |
| ·阻变存储器的组成结构、材料及阻变类型 | 第16-18页 |
| ·阻变存储器的电阻转变机制 | 第18-22页 |
| ·本论文工作的目的、内容和意义 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征技术 | 第27-38页 |
| ·薄膜生长过程简介 | 第27-28页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜制备技术 | 第28-31页 |
| ·磁控溅射法 | 第28-30页 |
| ·脉冲激光沉积技术(PLD) | 第30-31页 |
| ·薄膜的表征技术 | 第31-36页 |
| ·X射线衍射法(XRD) | 第31-32页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(SEM) | 第32-34页 |
| ·紫外可见吸收谱(UV-Vis Spectra) | 第34页 |
| ·低能电子衍射(RHEED) | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 氧化镓薄膜的制备 | 第38-47页 |
| ·薄膜制备前的准备过程 | 第38-39页 |
| ·衬底的清洗 | 第38-39页 |
| ·衬底的安装 | 第39页 |
| ·磁控溅射法制备 β-Ga_2O_3薄膜 | 第39-41页 |
| ·脉冲激光沉积制备 β-Ga_2O_3薄膜 | 第41-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 氧化亚铜薄膜的生长条件探索 | 第47-55页 |
| ·沉积温度对Cu_2O薄膜的影响 | 第47-50页 |
| ·气流量对Cu_2O薄膜的影响 | 第50-52页 |
| ·溅射功率对Cu_2O薄膜的影响 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 Ga_2O_3/Cu_2O异质结制备及性能研究 | 第55-65页 |
| ·ITO衬底上Ga_2O_3/Cu_2O异质结薄膜的制备 | 第55-56页 |
| ·Ga_2O_3/Cu_2O异质结阻变性能 | 第56-59页 |
| ·Ga_2O_3/Cu_2O异质结阻变机理分析 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第67页 |