| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 镓资源的分布 | 第11-12页 |
| 1.3 高纯镓的应用 | 第12-15页 |
| 1.3.1 氮化镓(GaN)的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.2 砷化镓(GaAs)的应用 | 第13-14页 |
| 1.3.3 铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)的应用 | 第14页 |
| 1.3.4 其余镓的化合物的应用 | 第14-15页 |
| 1.4 镓的提取与回收技术 | 第15-18页 |
| 1.4.1 原生镓的提取技术 | 第16-17页 |
| 1.4.2 再生镓的提取技术 | 第17-18页 |
| 1.5 高纯镓制备的国内外研究现状 | 第18-22页 |
| 1.5.1 高纯镓的生产现状 | 第18-19页 |
| 1.5.2 高纯镓的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.6 课题研究意义及内容 | 第22-25页 |
| 1.6.1 课题研究意义 | 第22-23页 |
| 1.6.2 课题研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 镓高纯化的实验研究 | 第25-41页 |
| 2.1 结晶法制备高纯镓的基本原理 | 第25-28页 |
| 2.1.1 定向结晶法基本原理 | 第25-27页 |
| 2.1.2 分凝系数 | 第27-28页 |
| 2.2 实验原料与设备 | 第28-30页 |
| 2.2.1 实验原料和试剂 | 第28页 |
| 2.2.2 实验仪器与设备 | 第28-30页 |
| 2.3 结晶器设计 | 第30-33页 |
| 2.3.1 结晶器整体结构设计 | 第30-31页 |
| 2.3.2 结晶器材料的选择 | 第31-33页 |
| 2.4 结晶器的组装 | 第33-34页 |
| 2.5 结晶过程控制 | 第34-37页 |
| 2.5.1 实验流程 | 第34-36页 |
| 2.5.2 实验方法 | 第36页 |
| 2.5.3 实验过程 | 第36-37页 |
| 2.6 高纯镓的检测 | 第37-41页 |
| 第3章 结晶过程工艺条件的优化 | 第41-51页 |
| 3.1 冷却水流量对结晶过程的控制 | 第41-43页 |
| 3.2 冷却水温度对结晶过程的控制 | 第43-46页 |
| 3.3 外接晶种对结晶时间的影响 | 第46-48页 |
| 3.4 凝固率控制 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 高纯镓检测结果与分析 | 第51-59页 |
| 4.1 冷却水温度对镓纯度的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 结晶次数对镓纯度的影响 | 第52-55页 |
| 4.3 分凝系数K的计算 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67页 |