| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 GaN材料的性质 | 第8-12页 |
| 1.2.1GaN的晶体结构 | 第8-10页 |
| 1.2.2GaN的能带结构 | 第10-11页 |
| 1.2.3 GaN的极性 | 第11页 |
| 1.2.4 GaN的光学特性和电学性能 | 第11-12页 |
| 1.3 GaN薄膜材料的生长设备和技术 | 第12-15页 |
| 1.3.1 外延薄膜材料的生长 | 第12-13页 |
| 1.3.2 MOCVD设备及生长技术简介 | 第13-15页 |
| 1.4 GaN基LED的出光效率 | 第15-17页 |
| 1.4.1 出光效率的基本概念 | 第15-16页 |
| 1.4.2 改善外量子效率的方法 | 第16-17页 |
| 1.5GaN基LED器件及其应用 | 第17-18页 |
| 1.5.1 GaN基LED的发展历程 | 第17-18页 |
| 1.5.2GaN基LED应用前景 | 第18页 |
| 1.6 本论文的研究内容及行文安排 | 第18-20页 |
| 第2章 一次转移和三次转移芯片老化实验 | 第20-35页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 实验 | 第20-34页 |
| 2.2.1 样片芯片的制作 | 第20-22页 |
| 2.2.2 VTEL的测试方法和简介 | 第22-23页 |
| 2.2.3 老化实验及各项性能测试 | 第23-34页 |
| 2.3 总结 | 第34-35页 |
| 第3章 不同转移工艺芯片性能稳定性分析 | 第35-49页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 高分辨率X射线衍射仪（HRXRD） | 第35-38页 |
| 3.2.1 高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）简介 | 第35-37页 |
| 3.2.2 实验 | 第37-38页 |
| 3.3 台阶仪 | 第38-39页 |
| 3.4 拉曼应力测试 | 第39-44页 |
| 3.4.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.4.2 实验 | 第40-43页 |
| 3.4.3 结论 | 第43-44页 |
| 3.5 扫描电子显微镜（SEM） | 第44-47页 |
| 3.5.1 引言 | 第44页 |
| 3.5.2 扫描电子显微镜（SEM）的简介 | 第44-45页 |
| 3.5.3 实验 | 第45-47页 |
| 3.5.4 结论 | 第47页 |
| 3.6 结果与讨论 | 第47页 |
| 3.7 总结 | 第47-49页 |
| 第4章 结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |