| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 透明氧化物半导体材料 | 第11-16页 |
| 1.3 TFT的发展历程 | 第16-18页 |
| 1.4 Ga_2O_3材料的研究现状 | 第18-26页 |
| 1.5 本文的选题意义及研究内容 | 第26-27页 |
| 2 实验材料、设备与方法 | 第27-30页 |
| 2.1 实验原材料 | 第27-28页 |
| 2.2 实验流程 | 第28页 |
| 2.3 测试与表征 | 第28-30页 |
| 3 沉淀法制备单分散氧化镓粉体 | 第30-42页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 沉淀法合成单分散杆形β-Ga_2O_3粉体 | 第30-34页 |
| 3.3 沉淀反应中老化时间对β-Ga_2O_3粉体形貌及尺寸的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 沉淀反应中老化温度对β-Ga_2O_3粉体形貌及尺寸的影响 | 第35-36页 |
| 3.5 沉淀反应中Ga~(3+)离子的浓度对β-Ga_2O_3粉体形貌及尺寸的影响 | 第36-38页 |
| 3.6 沉淀反应中pH值对β-Ga_2O_3粉体形貌及尺寸的影响 | 第38-39页 |
| 3.7 单分散多级结构的椭球形及杆形β-Ga_2O_3粉体的形核机制 | 第39-40页 |
| 3.8 本章小结 | 第40-42页 |
| 4 高致密氧化镓靶材的制备 | 第42-57页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 β-Ga_2O_3陶瓷靶材的制备 | 第42-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 5 全文总结与展望 | 第57-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第69页 |
