| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 纳米半导体技术的发展 | 第9-10页 |
| 1.2 一维纳米半导体材料的制备 | 第10-16页 |
| 1.3 一维纳米半导体材料的应用 | 第16-25页 |
| 1.4 课题研究背景与内容 | 第25-28页 |
| 2 β-In_2S_3一维结构纳米线的合成和表征 | 第28-37页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 实验试剂与仪器 | 第28-31页 |
| 2.3 In_2S_3纳米线的合成、表征以及相关器件制作 | 第31-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 基于单根In_2S_3纳米线的硬质硅基衬底器件的电学、光学性质研究 | 第37-48页 |
| 3.1 引言 | 第37页 |
| 3.2 基于单根In_2S_3纳米线的硅基场效应管器件性质研究 | 第37-40页 |
| 3.3 基于纳米线光电探测器的原理 | 第40-42页 |
| 3.4 基于单根In_2S_3纳米线的硅基光电探测器性质研究 | 第42-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 4 基于单根In_2S_3纳米线的柔性衬底的光电探测器件性能研究 | 第48-61页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 基于单根In_2S_3纳米线的柔性衬底的光电探测器件 | 第49-56页 |
| 4.3 硅基与柔性衬底的单根In_2S_3纳米线光电探测器件比较分析 | 第56-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 5 总结与展望 | 第61-64页 |
| 5.1 工作总结 | 第61-62页 |
| 5.2 工作展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第73页 |
