| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 Ga_2O_3薄膜简介 | 第8-11页 |
| 1.1.1 Ga_2O_3薄膜的理化性质 | 第8-9页 |
| 1.1.2 Ga_2O_3薄膜研究的国内外现状 | 第9-10页 |
| 1.1.3 Ga_2O_3薄膜的主要应用 | 第10-11页 |
| 1.2 Ga_2O_3薄膜的掺杂研究 | 第11-12页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3薄膜掺杂研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 掺杂对Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第12页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第2章 氧化镓薄膜的制备与表征方法 | 第14-20页 |
| 2.1 氧化镓薄膜的制备方法 | 第14-15页 |
| 2.1.1 常见的氧化镓薄膜制备方法 | 第14-15页 |
| 2.2 射频磁控溅射系统 | 第15-17页 |
| 2.3 氧化物的表征方法 | 第17-20页 |
| 2.3.1 台阶仪 | 第17页 |
| 2.3.2 X射线衍射 | 第17-18页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第18页 |
| 2.3.4 紫外-可见分光光度计 | 第18页 |
| 2.3.5 扫描电子显微镜和X射线能量色散谱 | 第18页 |
| 2.3.6 光致发光谱仪 | 第18-20页 |
| 第3章 射频磁控溅射法制备Ga_2O_3薄膜的工艺参数探索 | 第20-32页 |
| 3.1 衬底处理与薄膜制备 | 第20页 |
| 3.1.1 衬底清洗 | 第20页 |
| 3.1.2 射频磁控溅射法制备Ga_2O_3薄膜 | 第20页 |
| 3.2 工艺参数探索 | 第20-30页 |
| 3.2.1 溅射功率对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第20-22页 |
| 3.2.2 溅射气压对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第22-23页 |
| 3.2.3 衬底温度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第23-25页 |
| 3.2.4 衬底材料对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第25-26页 |
| 3.2.5 溅射时间对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第26-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-32页 |
| 第4章 退火对Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第32-40页 |
| 4.1 薄膜的制备过程 | 第32页 |
| 4.2 实验结果分析 | 第32-38页 |
| 4.2.1 退火对Ga_2O_3薄膜结构的影响 | 第32-33页 |
| 4.2.2 退火对Ga_2O_3薄膜形貌特性的影响 | 第33-35页 |
| 4.2.3 退火对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第35-38页 |
| 4.3 小结 | 第38-40页 |
| 第5章 镁掺杂对Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第40-50页 |
| 5.1 薄膜的制备过程 | 第40-41页 |
| 5.2 掺杂浓度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第41-45页 |
| 5.2.1 掺杂浓度对Ga_2O_3薄膜厚度的影响 | 第41-42页 |
| 5.2.2 掺杂浓度对Ga_2O_3薄膜结构影响 | 第42页 |
| 5.2.3 掺杂浓度对Ga_2O_3薄膜光透过率及带隙宽度的影响 | 第42-45页 |
| 5.2.4 掺杂浓度对Ga_2O_3薄膜光致发光的影响 | 第45页 |
| 5.3 退火对掺杂Ga_2O_3薄膜性质的影响 | 第45-49页 |
| 5.3.1 退火对掺杂Ga_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第46页 |
| 5.3.2 退火对掺杂Ga_2O_3薄膜光透性的影响 | 第46-48页 |
| 5.3.3 退火对掺杂Ga_2O_3薄膜光致发光的影响 | 第48-49页 |
| 5.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
