| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.3 GaAs光阴极研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文主要完成任务 | 第12-13页 |
| 1.5 论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 2 GaAs纳米线阵列光阴极制备 | 第15-35页 |
| 2.1 GaAs纳米线阵列制备方法 | 第15-21页 |
| 2.1.1 分子束外延 | 第15-16页 |
| 2.1.2 溶液-液相-固相法 | 第16-17页 |
| 2.1.3 化学束外延法 | 第17-18页 |
| 2.1.4 反应离子刻蚀 | 第18-19页 |
| 2.1.5 胶体晶体刻蚀法 | 第19-20页 |
| 2.1.6 感应耦合等离子体刻蚀 | 第20-21页 |
| 2.2 GaAs纳米线阵列制备 | 第21-28页 |
| 2.2.1 GaAs纳米线阵列制备工艺流程 | 第21-22页 |
| 2.2.2 掩模版设计 | 第22-24页 |
| 2.2.3 掩膜层生长 | 第24-25页 |
| 2.2.4 光刻曝光 | 第25-26页 |
| 2.2.5 去除SiO2掩膜层 | 第26页 |
| 2.2.6 制备GaAs纳米线阵列 | 第26-28页 |
| 2.3 变组分AlGaAs纳米线阵列制备 | 第28-31页 |
| 2.3.1 变组分AlGaAs纳米线阵列光阴极的研究意义 | 第28-29页 |
| 2.3.2 变组分AlGaAs纳米线阵列制备工艺 | 第29-31页 |
| 2.4 GaAs/AlGaAs纳米线阵列光阴极制备 | 第31-34页 |
| 2.4.1 GaAs/AlGaAs纳米线阵列表面净化清洗 | 第32-33页 |
| 2.4.2 GaAs/AlGaAs纳米线阵列光阴极Cs、O激活 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 3 GaAs纳米线阵列光阴极测试及结果分析 | 第35-55页 |
| 3.1 GaAs纳米线阵列光阴极测试技术 | 第35-37页 |
| 3.1.1 扫描电子显微镜 | 第35-36页 |
| 3.1.2 光致发光谱分析 | 第36页 |
| 3.1.3 漫反射谱分析 | 第36-37页 |
| 3.2 实验结果分析 | 第37-53页 |
| 3.2.1 GaAs纳米线阵列顶部剥离现象分析 | 第37-44页 |
| 3.2.2 GaAs纳米线阵列制备工艺改进 | 第44-46页 |
| 3.2.3 GaAs纳米线阵列光阴极反射谱分析 | 第46-50页 |
| 3.2.4 GaAs纳米线阵列光阴极PL谱分析 | 第50-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 GaAs纳米线阵列光阴极光电特性仿真 | 第55-63页 |
| 4.1 GaAs纳米线阵列光阴极理论模型 | 第55-58页 |
| 4.1.1 GaAs纳米线阵列光阴极模型方程 | 第55-57页 |
| 4.1.2 光电子发射边界条件 | 第57页 |
| 4.1.3 光谱响应 | 第57-58页 |
| 4.2 GaAs纳米线阵列光阴极光谱响应仿真 | 第58-62页 |
| 4.2.1 入射光角度对GaAs纳米线阵列光阴极的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.2 入射光波长对GaAs纳米线阵列光阴极的影响 | 第60页 |
| 4.2.3 纳米线直径对GaAs纳米线阵列光阴极的影响 | 第60-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 5 结论 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 待进一步解决的问题 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的论文（第一作者） | 第72页 |
