Ce掺杂GaN纳米结构的制备及物性研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| ·纳米材料概述 | 第7页 |
| ·纳米材料的性质 | 第7-8页 |
| ·GaN及其纳米材料简介 | 第8-15页 |
| ·GaN的基本物化性质 | 第8-11页 |
| ·GaN纳米材料的制备技术 | 第11-12页 |
| ·GaN纳米材料的研究进展 | 第12-15页 |
| ·本论文的选题背景、主要研究内容及创新点 | 第15-18页 |
| ·本论文的选题背景 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16页 |
| ·本论文的创新点 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 CVD法制备Ce掺杂GaN纳米线 | 第21-40页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·样品的制备与表征 | 第21-23页 |
| ·样品制备装置 | 第21-22页 |
| ·样品制备过程 | 第22-23页 |
| ·样品的表征 | 第23页 |
| ·实验结果与分析 | 第23-36页 |
| ·Ga2O3和CeO2为反应源实验结果分析 | 第23-30页 |
| ·Ga和CeCl3为反应源实验结果分析 | 第30-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第三章 固态烧结扩散法制备Ce掺杂GaN纳米线 | 第40-56页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品的制备与表征 | 第40-42页 |
| ·样品制备过程 | 第40-41页 |
| ·样品的表征 | 第41-42页 |
| ·实验结果与分析 | 第42-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第四章 工作总结与展望 | 第56-58页 |
| ·工作总结 | 第56页 |
| ·工作展望 | 第56-58页 |
| 附录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
