MOCVD生长GaN的仿真模拟与应力分析

摘要	第4-6页
Abstract	第6-7页
1 绪论	第10-22页
1.1 研究背景与意义	第10-11页
1.2 GaN材料概述	第11-13页
1.3 MOCVD生长系统	第13-17页
1.4 国内外研究现状	第17-20页
1.5 本文研究内容、目的与创新点	第20-22页
2 晶体制备过程有限元分析的理论基础和方法	第22-27页
2.1 有限元分析技术概述	第22-24页
2.2 传热原理与模型选择	第24-25页
2.3 热应力理论	第25-27页
3 MOCVD生长GaN的温度场分析	第27-52页
3.1 MOCVD反应器模型	第27-32页
3.2 基准条件下的模拟结果与验证	第32-38页
3.3 工艺参数的研究	第38-45页
3.4 几何结构的研究	第45-51页
3.5 本章小结	第51-52页
4 GaN薄膜热应力数值模拟与结果分析	第52-66页
4.1 薄膜热应力模型	第52-55页
4.2 影响薄膜热应力的几何和工艺参数的研究	第55-60页
4.3 影响薄膜热应力的材料的研究	第60-65页
4.4 本章小结	第65-66页
5 论文总结与展望	第66-70页
5.1 本文工作总结	第66-68页
5.2 下一步工作展望	第68-70页
致谢	第70-72页
参考文献	第72-77页