| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 介孔材料概述 | 第7页 |
| 1.2 介孔材料的分类 | 第7-8页 |
| 1.3 介孔材料的应用 | 第8-10页 |
| 1.3.1 催化方面的应用 | 第8-9页 |
| 1.3.2 吸附分离方面的应用 | 第9页 |
| 1.3.3 电化学方面的应用 | 第9-10页 |
| 1.3.4 气体传感器方面的应用 | 第10页 |
| 1.4 气体传感器概述 | 第10-16页 |
| 1.4.1 金属氧化物半导体气体传感器 | 第11-12页 |
| 1.4.2 金属氧化物半导体气体传感器的性能指标 | 第12-13页 |
| 1.4.3 金属氧化物半导体气体传感器的应用 | 第13-15页 |
| 1.4.4 氧化铟气体传感器的研究现状及进展 | 第15-16页 |
| 1.5 论文的研究意义、研究内容及创新点 | 第16-18页 |
| 1.5.1 选题背景与研究意义 | 第16页 |
| 1.5.2 论文主要内容 | 第16-17页 |
| 1.5.3 创新点 | 第17-18页 |
| 第二章 实验部分 | 第18-24页 |
| 2.1 实验试剂 | 第18-19页 |
| 2.2 实验仪器 | 第19页 |
| 2.3 样品的表征分析 | 第19-24页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第19-20页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第20页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜(TEM) | 第20页 |
| 2.3.4 氮气吸附脱附分析(BET) | 第20-22页 |
| 2.3.5 紫外可见光谱(UV) | 第22页 |
| 2.3.6 气敏性能测试装置 | 第22-24页 |
| 第三章 有序介孔In_2O_3的制备及其气敏测试 | 第24-38页 |
| 3.1 引言 | 第24页 |
| 3.2 实验方法 | 第24-25页 |
| 3.2.1 有序介孔MCM-48的制备 | 第24-25页 |
| 3.2.2 有序介孔In_2O_3的制备 | 第25页 |
| 3.3 结果与分析 | 第25-37页 |
| 3.3.1 有序介孔MCM-48与In_2O_3的结构表征 | 第25-28页 |
| 3.3.2 填充比例对介孔In_2O_3-MCM-48结构的影响 | 第28-30页 |
| 3.3.3 填充次数对介孔In_2O_3-MCM-48结构的影响 | 第30-32页 |
| 3.3.4 甲醛气敏性质测试 | 第32-36页 |
| 3.3.5 有序介孔In_2O_3对其他气体的气敏测试 | 第36-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 La掺杂有序介孔In_2O_3的制备及其甲醛气敏测试 | 第38-53页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 以MCM-48为模板的La掺杂有序介孔In_2O_3的分析与气敏测试 | 第38-44页 |
| 4.2.1 La掺杂介孔In_2O_3的制备 | 第38页 |
| 4.2.2 La掺杂介孔In_2O_3的表征与分析 | 第38-41页 |
| 4.2.3 La掺杂介孔In_2O_3的甲醛气敏测试 | 第41-44页 |
| 4.3 以KIT-6为模板的La掺杂有序介孔In_2O_3的分析与气敏测试 | 第44-52页 |
| 4.3.1 有序介孔KIT-6和La掺杂介孔In_2O_3的制备 | 第44页 |
| 4.3.2 有序介孔KIT-6的表征分析 | 第44-45页 |
| 4.3.3 La掺杂介孔In_2O_3的表征与分析 | 第45-48页 |
| 4.3.4 La掺杂介孔In_2O_3的甲醛气敏测试 | 第48-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简介 | 第64页 |
