首页--工业技术论文--化学工业论文--金属元素的无机化合物化学工业论文--第Ⅲ族金属元素的无机化合物论文--镓主族(ⅢA族)元素的无机化合物论文

氮化镓中受主掺杂对光学和电学特性的影响研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-13页
缩略语对照表第13-17页
第一章 绪论第17-31页
    1.1 GaN材料的研究意义及进展第17-26页
    1.2 GaN材料的表征方法第26-29页
        1.2.1 拉曼散射(Raman)第26-27页
        1.2.2 高分辨X射线衍射(HRXRD)第27-28页
        1.2.3 光致发光(PL)第28页
        1.2.4 范德堡法霍尔测试(Hall)第28-29页
    1.3 本文主要内容和安排第29-31页
第二章 MOCVD生长的Mg掺杂p型GaN薄膜的优化研究第31-43页
    2.1 蓝宝石平面衬底生长GaN薄膜的Mg掺杂p型优化研究第31-35页
    2.2 蓝宝石图形衬底生长GaN薄膜的Mg掺杂p型优化研究第35-38页
    2.3 Al GaN/GaN超晶格界面处Mg的δ掺杂提高空穴浓度的机理第38-40页
    2.4 p型优化结构应用到LED中的仿真验证第40-42页
    2.5 本章小结第42-43页
第三章 C离子注入提高GaN薄膜的电学特性研究第43-53页
    3.1 C离子注入的GaN薄膜的制备第43页
    3.2 C离子注入的GaN薄膜的拉曼散射第43-49页
        3.2.1 C离子注入的N面GaN薄膜的拉曼散射谱第43-45页
        3.2.2 C离子注入的非极性a面GaN薄膜的拉曼散射谱第45-47页
        3.2.3 C离子注入的半极性(11-22)面GaN薄膜的拉曼散射谱第47-49页
    3.3 C离子注入的N面GaN薄膜的HRXRD结果第49-51页
    3.4 C离子注入在N面GaN薄膜的应用第51-52页
    3.5 本章小结第52-53页
第四章 GaN薄膜中黄带发光的机理研究第53-71页
    4.1 离子注入的N面GaN薄膜中黄带发光的研究第53-57页
        4.1.1 N面GaN薄膜的生长第53-54页
        4.1.2 SIMS测试结果第54页
        4.1.3 HRXRD测试结果第54-56页
        4.1.4 PL测试结果第56-57页
    4.2 离子注入的非极性a面GaN薄膜中黄带发光的研究第57-62页
        4.2.1 离子注入的非极性a面GaN薄膜的制备第57-58页
        4.2.2 非极性a面GaN薄膜的拉曼散射结果第58-61页
        4.2.3 非极性a面GaN薄膜的PL谱第61-62页
    4.3 离子注入的半极性(11-22)面GaN薄膜中黄带发光的研究第62-65页
        4.3.1 离子注入的半极性(11-22)面GaN薄膜的制备第62页
        4.3.2 半极性(11-22)面GaN薄膜的拉曼散射结果第62-65页
        4.3.3 半极性(11-22)面GaN薄膜的PL第65页
    4.4 ELOG生长GaN中的光学特性的研究第65-69页
        4.4.1 ELOG技术制备GaN薄膜第66页
        4.4.2 ELOG生长GaN薄膜的拉曼成像测试第66-68页
        4.4.3 ELOG生长GaN薄膜的PL第68-69页
    4.5 光致发光的物理过程第69-70页
    4.6 本章小结第70-71页
第五章 结论第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-79页
作者简介第79-81页

论文共81页,点击 下载论文
上一篇:易形变桨叶搅拌槽内流场特性研究
下一篇:石墨的氧化及剥离新技术研究