| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 GaN材料的研究意义及进展 | 第17-26页 |
| 1.2 GaN材料的表征方法 | 第26-29页 |
| 1.2.1 拉曼散射（Raman） | 第26-27页 |
| 1.2.2 高分辨X射线衍射（HRXRD） | 第27-28页 |
| 1.2.3 光致发光（PL） | 第28页 |
| 1.2.4 范德堡法霍尔测试（Hall） | 第28-29页 |
| 1.3 本文主要内容和安排 | 第29-31页 |
| 第二章 MOCVD生长的Mg掺杂p型GaN薄膜的优化研究 | 第31-43页 |
| 2.1 蓝宝石平面衬底生长GaN薄膜的Mg掺杂p型优化研究 | 第31-35页 |
| 2.2 蓝宝石图形衬底生长GaN薄膜的Mg掺杂p型优化研究 | 第35-38页 |
| 2.3 Al GaN/GaN超晶格界面处Mg的δ掺杂提高空穴浓度的机理 | 第38-40页 |
| 2.4 p型优化结构应用到LED中的仿真验证 | 第40-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 C离子注入提高GaN薄膜的电学特性研究 | 第43-53页 |
| 3.1 C离子注入的GaN薄膜的制备 | 第43页 |
| 3.2 C离子注入的GaN薄膜的拉曼散射 | 第43-49页 |
| 3.2.1 C离子注入的N面GaN薄膜的拉曼散射谱 | 第43-45页 |
| 3.2.2 C离子注入的非极性a面GaN薄膜的拉曼散射谱 | 第45-47页 |
| 3.2.3 C离子注入的半极性（11-22）面GaN薄膜的拉曼散射谱 | 第47-49页 |
| 3.3 C离子注入的N面GaN薄膜的HRXRD结果 | 第49-51页 |
| 3.4 C离子注入在N面GaN薄膜的应用 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 GaN薄膜中黄带发光的机理研究 | 第53-71页 |
| 4.1 离子注入的N面GaN薄膜中黄带发光的研究 | 第53-57页 |
| 4.1.1 N面GaN薄膜的生长 | 第53-54页 |
| 4.1.2 SIMS测试结果 | 第54页 |
| 4.1.3 HRXRD测试结果 | 第54-56页 |
| 4.1.4 PL测试结果 | 第56-57页 |
| 4.2 离子注入的非极性a面GaN薄膜中黄带发光的研究 | 第57-62页 |
| 4.2.1 离子注入的非极性a面GaN薄膜的制备 | 第57-58页 |
| 4.2.2 非极性a面GaN薄膜的拉曼散射结果 | 第58-61页 |
| 4.2.3 非极性a面GaN薄膜的PL谱 | 第61-62页 |
| 4.3 离子注入的半极性（11-22）面GaN薄膜中黄带发光的研究 | 第62-65页 |
| 4.3.1 离子注入的半极性（11-22）面GaN薄膜的制备 | 第62页 |
| 4.3.2 半极性（11-22）面GaN薄膜的拉曼散射结果 | 第62-65页 |
| 4.3.3 半极性（11-22）面GaN薄膜的PL | 第65页 |
| 4.4 ELOG生长GaN中的光学特性的研究 | 第65-69页 |
| 4.4.1 ELOG技术制备GaN薄膜 | 第66页 |
| 4.4.2 ELOG生长GaN薄膜的拉曼成像测试 | 第66-68页 |
| 4.4.3 ELOG生长GaN薄膜的PL | 第68-69页 |
| 4.5 光致发光的物理过程 | 第69-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-81页 |
