摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第14-36页 |
1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第14-15页 |
1.2 气体传感器的特性 | 第15-16页 |
1.3 气体传感器的类型 | 第16-19页 |
1.4 金属氧化物的敏感机理 | 第19-24页 |
1.4.1 氧离子吸附模型 | 第20-23页 |
1.4.2 氧空位模型 | 第23-24页 |
1.5 影响气敏性能的因素 | 第24-28页 |
1.5.1 晶粒尺寸对气敏性能的影响 | 第24-25页 |
1.5.2 晶面对气敏性能的影响 | 第25-26页 |
1.5.3 贵金属对气敏性能的影响 | 第26-27页 |
1.5.4 其它影响气敏性能的因素 | 第27-28页 |
1.6 In_2O_3气敏材料的制备方法 | 第28-30页 |
1.6.1 气相法 | 第28页 |
1.6.2 激光烧蚀法 | 第28-29页 |
1.6.3 模板法 | 第29页 |
1.6.4 液相法 | 第29-30页 |
1.7 In_2O_3气敏材料的主要分类 | 第30-34页 |
1.7.1 纳米粒子气敏材料 | 第31页 |
1.7.2 纳米线气敏材料 | 第31-32页 |
1.7.3 薄/厚膜气敏材料 | 第32-33页 |
1.7.4 分级结构气敏材料 | 第33-34页 |
1.8 本论文的主要研究内容 | 第34-36页 |
第2章 实验试剂及仪器表征 | 第36-42页 |
2.1 试剂及仪器 | 第36-37页 |
2.1.1 试剂 | 第36-37页 |
2.1.2 仪器 | 第37页 |
2.2 表征方法 | 第37-42页 |
第3章 不同粒径In_2O_3纳米粒子的制备及其气敏性能研究 | 第42-66页 |
3.1 引言 | 第42-43页 |
3.2 In(OH)_3 粒子前驱体结构和形貌 | 第43-50页 |
3.2.1 In(OH)_3 粒子的制备 | 第43页 |
3.2.2 In(OH)_3 粒子的晶体结构分析 | 第43-44页 |
3.2.3 In(OH)_3 粒子的形貌表征 | 第44-48页 |
3.2.4 In(OH)_3 粒子的粒径分布 | 第48-49页 |
3.2.5 In(OH)_3 粒子的物质结构测试 | 第49-50页 |
3.3 In_2O_3粒子结构和形貌 | 第50-56页 |
3.3.1 In(OH)_3 粒子转化为In_2O_3粒子 | 第50-51页 |
3.3.2 In_2O_3粒子晶体结构分析 | 第51-52页 |
3.3.3 In_2O_3粒子的形貌表征 | 第52-54页 |
3.3.4 In_2O_3粒子的粒度分布 | 第54-55页 |
3.3.5 In_2O_3粒子的物质结构测试 | 第55-56页 |
3.4 不同粒径In_2O_3传感器气敏性能 | 第56-62页 |
3.4.1 不同粒径的In_2O_3传感器工作温度 | 第56-57页 |
3.4.2 不同粒径的In_2O_3传感器灵敏度 | 第57-58页 |
3.4.3 不同粒径的In_2O_3传感器的响应/恢复时间 | 第58-60页 |
3.4.4 In_2O_3粒子(pH=11)传感器选择性 | 第60-61页 |
3.4.5 In_2O_3粒子(pH=11)传感器稳定性 | 第61-62页 |
3.5 In_2O_3粒子的敏感机理 | 第62-64页 |
3.6 本章小结 | 第64-66页 |
第4章 暴露{100}晶面In_2O_3立方体的可控制备及气敏性能研究 | 第66-87页 |
4.1 引言 | 第66-67页 |
4.2 In(OH)_3 立方体前驱体结构和形貌 | 第67-72页 |
4.2.1 In(OH)_3 立方体的制备 | 第67页 |
4.2.2 In(OH)_3 立方体的晶体结构分析 | 第67-68页 |
4.2.3 In(OH)_3 立方体的形貌表征 | 第68-71页 |
4.2.4 In(OH)_3 立方体的物质结构测试 | 第71-72页 |
4.3 In_2O_3立方体的结构和形貌 | 第72-76页 |
4.3.1 In(OH)_3 转化为In_2O_3立方体 | 第72-73页 |
4.3.2 In_2O_3立方体的晶体结构分析 | 第73-74页 |
4.3.3 In_2O_3立方体的形貌表征 | 第74-75页 |
4.3.4 In_2O_3立方体的物质结构测试 | 第75-76页 |
4.4 In_2O_3立方体传感器气敏性能 | 第76-82页 |
4.4.1 In_2O_3立方体传感器工作温度 | 第76-77页 |
4.4.2 In_2O_3立方体传感器灵敏度 | 第77-79页 |
4.4.3 In_2O_3立方体传感器的响应/恢复时间 | 第79页 |
4.4.4 尿素制备In_2O_3立方体传感器选择性 | 第79-81页 |
4.4.5 尿素制备In_2O_3立方体传感器稳定性 | 第81-82页 |
4.5 In_2O_3立方体敏感机理 | 第82-85页 |
4.6 本章小结 | 第85-87页 |
第5章 暴露{100}和{110}晶面的In_2O_3十八面体的可控制备及气敏性能研究 | 第87-110页 |
5.1 引言 | 第87-88页 |
5.2 In(OH)_3 十八面体前驱体的可控制备 | 第88-89页 |
5.3 In(OH)_3 十八面体的表征 | 第89-90页 |
5.4 In(OH)_3 十八面体的形成机理 | 第90-98页 |
5.4.1 不同Na OH量对In(OH)_3形貌的作用 | 第90-92页 |
5.4.2 反应介质对In(OH)_3形貌的影响 | 第92-95页 |
5.4.3 反应时间对In(OH)_3形貌的影响 | 第95-97页 |
5.4.4 In(OH)_3 十八面体的生长机理 | 第97-98页 |
5.5 In_2O_3十八面体的表征 | 第98-101页 |
5.6 In_2O_3十八面体的气敏性能 | 第101-105页 |
5.7 In_2O_3十八面体的敏感机理 | 第105-108页 |
5.8 本章小结 | 第108-110页 |
结论 | 第110-112页 |
创新点 | 第112页 |
展望 | 第112-114页 |
参考文献 | 第114-128页 |
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第128-130页 |
致谢 | 第130-131页 |
个人简历 | 第131页 |