| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 硒化镓的研究 | 第10-25页 |
| 1.1.1 硒化镓的发展历史 | 第10页 |
| 1.1.2 硒化镓的制备方法 | 第10-17页 |
| 1.1.3 硒化镓的基本性质 | 第17-23页 |
| 1.1.4 硒化镓的应用研究 | 第23-25页 |
| 1.2 表面增强拉曼光谱 | 第25-26页 |
| 1.2.1 表面增强拉曼光谱的发展 | 第25页 |
| 1.2.2 表面增强拉曼光谱的增强机制 | 第25-26页 |
| 1.3 场效应晶体管 | 第26-27页 |
| 1.3.1 场效应晶体管简介 | 第26页 |
| 1.3.2 二维材料场效应晶体管发展 | 第26-27页 |
| 1.4 本论文的主要内容 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 硒化镓薄片的表面增强拉曼效应 | 第34-52页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 样品制备与表征 | 第35-36页 |
| 2.2.1 硒化镓的制备 | 第35-36页 |
| 2.2.2 分子沉积 | 第36页 |
| 2.2.3 样品的表征方法 | 第36页 |
| 2.3 硒化镓晶体表征与分析 | 第36-41页 |
| 2.3.1 硒化镓晶体的形貌、结构与组分 | 第36-38页 |
| 2.3.2 硒化镓拉曼光谱分析 | 第38-41页 |
| 2.4 硒化镓薄片表面增强拉曼的表征与分析 | 第41-48页 |
| 2.4.1 硒化镓表面增强拉曼表征 | 第41-44页 |
| 2.4.2 硒化镓表面增强拉曼机理研究 | 第44-47页 |
| 2.4.3 硒化镓“first-layer effect”研究 | 第47-48页 |
| 2.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第三章 硒化镓薄片迁移率的改善研究 | 第52-67页 |
| 3.1 背景研究 | 第52-53页 |
| 3.2 硒化镓薄片接触电极的制备与表征 | 第53页 |
| 3.2.1 shaodw mask制备电极 | 第53页 |
| 3.2.2 器件退火 | 第53页 |
| 3.2.3 器件表征方法 | 第53页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第53-64页 |
| 3.3.1 器件形貌与电导性质表征 | 第53-55页 |
| 3.3.2 金属电极的选择 | 第55-57页 |
| 3.3.3 退火时硒化镓FET性能影响研究 | 第57-62页 |
| 3.3.4 衬底对硒化镓FET影响的初步研究 | 第62-64页 |
| 3.4 小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第70页 |