| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·纳米线阵列概述 | 第9-10页 |
| ·GaAs纳米线阵列的研究现状 | 第10-11页 |
| ·GaAs的基本性质 | 第10-11页 |
| ·GaAs纳米材料的研究背景 | 第11页 |
| ·GaAs纳米线阵列制备方法 | 第11-15页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOVPE） | 第12-13页 |
| ·分子束外延生长技术（MBE） | 第13页 |
| ·感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术 | 第13-14页 |
| ·SiO_2纳米球光刻技术 | 第14-15页 |
| ·其它制备技术 | 第15页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极的研究现状 | 第15-16页 |
| ·课题主要完成任务 | 第16-17页 |
| 第2章 GaAs纳米线阵列制备原理及制备设备 | 第17-23页 |
| ·GaAs纳米线阵列制备原理 | 第17页 |
| ·等离子体刻蚀技术工作原理 | 第17-19页 |
| ·反应离子刻蚀（RIE）技术工作原理 | 第18页 |
| ·耦合等离子体刻蚀（ICP）技术工作原理 | 第18-19页 |
| ·GaAs纳米线阵列制备设备 | 第19-22页 |
| ·等离子增强化学气相沉积系统（OXFORD SYSTEM 100） | 第19页 |
| ·六英寸双面对准光刻机（SUSS MA6/BA6） | 第19-20页 |
| ·ICP刻蚀机（OXFORD ICP 180） | 第20页 |
| ·台阶仪（VEECO，DEKTAK 150） | 第20页 |
| ·激光共聚焦拉曼光谱仪（Labram HR 800） | 第20-21页 |
| ·反应离子刻蚀机（Tegal 903e） | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 干法刻蚀技术制备GaAs纳米线阵列 | 第23-37页 |
| ·GaAs纳米线阵列制备过程 | 第23-26页 |
| ·GaAs衬底清洗 | 第23页 |
| ·GaAs纳米线阵列掩膜制备 | 第23-24页 |
| ·GaAs纳米线阵列的刻蚀 | 第24-25页 |
| ·GaAs纳米线阵列的清洗和退火处理 | 第25-26页 |
| ·结果与分析 | 第26-36页 |
| ·光刻胶对GaAs纳米线阵列的影响 | 第27-28页 |
| ·化学清洗溶剂对GaAs纳米线阵列的影响 | 第28-30页 |
| ·快速退火温度对GaAs纳米线阵列形貌的影响 | 第30-32页 |
| ·GaAs纳米线阵列常温PL谱分析 | 第32-35页 |
| ·快速退火对GaAs纳米线阵列PL谱影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 GaAs纳米线阵列光阴极制备 | 第37-59页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极制备及表征系统 | 第37-39页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极制备理论 | 第39-43页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极理论模型 | 第39-40页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极量子效率 | 第40-43页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极制备过程 | 第43-50页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极表面净化及XPS分析 | 第43-48页 |
| ·GaAs纳米线阵列光阴极Cs、O激活 | 第48-50页 |
| ·实验分析 | 第50-58页 |
| ·光照入射角度对GaAs纳米线阵列光阴极的影响 | 第52-53页 |
| ·HF酸和浓硫酸清洗对GaAs纳米线阵列光阴极的影响 | 第53-55页 |
| ·GaAs纳米线阵列的直径对光阴极的影响 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 结束语 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
