| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 紫外探测器简介 | 第12-16页 |
| 1.2.1 β-Ga_2O_3材料简介 | 第13-14页 |
| 1.2.2 β-Ga_2O_3的基本物理特性 | 第14-15页 |
| 1.2.3 β-Ga_2O_3紫外探测器研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 紫外单光子探测器的研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4 微弱信号检测 | 第18-20页 |
| 1.4.1 相干检测 | 第18-19页 |
| 1.4.2 取样积分与数字式平均 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文工作的目的、内容和意义 | 第20-21页 |
| 第二章 制备和测试方法 | 第21-30页 |
| 2.1 制备方法 | 第21-23页 |
| 2.1.1 激光分子束外延 | 第21-22页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第22-23页 |
| 2.2 测试方法 | 第23-29页 |
| 2.2.1 直流测试方法 | 第23-24页 |
| 2.2.2 锁相放大测试方法 | 第24-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 MSM日盲型紫外探测器的制备及性能测试 | 第30-37页 |
| 3.1 MSM日盲型紫外探测器的制备 | 第30-32页 |
| 3.1.1 薄膜制备 | 第30-31页 |
| 3.1.2 电极制备 | 第31-32页 |
| 3.2 MSM型β-Ga_2O_3紫外探测器直流光电性能 | 第32-34页 |
| 3.2.1 I-V曲线 | 第32页 |
| 3.2.2 响应度与外量子效率 | 第32-33页 |
| 3.2.3 I-t曲线 | 第33-34页 |
| 3.2.4 光电机理研究 | 第34页 |
| 3.3 MSM型β-Ga_2O_3紫外探测器交流光电性能 | 第34-36页 |
| 3.3.1 黑暗条件下不同频率的I-V曲线 | 第35页 |
| 3.3.2 交流I-t曲线 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 MSM探测器优化及外围电路设计 | 第37-50页 |
| 4.1 Zn掺杂 | 第37-40页 |
| 4.1.1 I-V曲线 | 第37-38页 |
| 4.1.2 光响应度与外量子效率 | 第38页 |
| 4.1.3 I-t曲线 | 第38-40页 |
| 4.2 小尺寸电极制备 | 第40-44页 |
| 4.2.1 光学曝光 | 第40-41页 |
| 4.2.2 紫外光刻制备叉指电极流程 | 第41-43页 |
| 4.2.3 电极尺寸对光电性能影响 | 第43-44页 |
| 4.3 芯片封装及其外围电路设计 | 第44-48页 |
| 4.3.1 芯片封装 | 第44-46页 |
| 4.3.2 外围电路设计 | 第46-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 日盲型单光子探测器制备及其光电性能的测试 | 第50-64页 |
| 5.1 单光子紫外探测器工作原理简介 | 第50-51页 |
| 5.2 线性单光子紫外探测器的制备 | 第51-52页 |
| 5.2.1 制备流程 | 第51-52页 |
| 5.3 光电性能测试 | 第52-56页 |
| 5.3.1 紫外可见吸收光谱 | 第52-53页 |
| 5.3.2 I-V-Gain曲线 | 第53页 |
| 5.3.3 I-t曲线 | 第53-54页 |
| 5.3.4 C-V曲线 | 第54-55页 |
| 5.3.5 线性曲线 | 第55-56页 |
| 5.4 盖革模式单光子探测器 | 第56-63页 |
| 5.4.1 盖革模式单光子探测器性能参数 | 第56-57页 |
| 5.4.2 单光子探测器SPAD的工作模式 | 第57-59页 |
| 5.4.3 单光子性能测试 | 第59-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 硕士期间研究成果 | 第73页 |