当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
化合物半导体
Co掺杂ZnO纳米线的制备及其磁性和光学性能的研究
磁控溅射制备ZnO基透明导电衬底材料的研究
强磁场调控ZnO稀磁半导体结构与性能研究
超细煤基β-SiC粉体的构筑及其结构特性的研究
立方碳化硅的多光谱技术研究
基于亚微米深孔的Si衬底上GaN选择性外延及横向外延
常开型SiC JFET功率器件的热可靠性研究
MgZnO/ZnO异质结量子输运特性研究
半绝缘4H-SiC光导开关研究
4H-SiC载流子寿命增强方法研究
4H-SiC JBS沟槽结构的仿真研究
低维窄带隙TiO2、ZnO复合材料的制备及其光催化性能研究
ZnO线阵多孔结构的模板辅助法制备及光电性能研究
惰性薄层修饰的ZnO纳米棒阵列的制备及其对H2S的气敏性能
基于蛋白质基底的ZnO半导体薄膜材料的生长
GaN-基半导体异质结的磁输运性质研究
Zn-Sn氧化物薄膜溶胶凝胶法制备及光电特性研究
Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究
钇铟共掺杂氧化锌薄膜特性的研究
N掺杂p型ZnO材料的制备及其光电性能研究
毫秒激光致砷化镓材料损伤研究
ZnO、NiO薄膜和n-ZnO/p-NiO异质结结构的制备和特性研究
高效发光CuInS2和CuInS2/ZnS量子点的绿色合成及工艺连续化研究
ZnO过渡金属掺杂及亚稳相的第一性原理研究
Be,Mg掺杂ZnO基半导体材料的结构及电学性质的理论研究
氧化铜薄膜的制备与掺杂研究
磷化铟纳米线及其平面阵列的制备和光探测研究
ZnO微纳米柱的生长、掺杂与性质研究
ZnO p-n结设计、制备及内嵌ZnMgO量子势垒对其光电性能调制作用的研究
碳化硅表面声子激元激发
基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备工艺研究
探测器用CdZnTe晶体载流子输运过程的研究
红外调制光谱研究Ⅲ-Ⅴ族窄禁带锑化物与稀铋半导体电子能带结构
化学配比对磷化铟中本征缺陷、杂质特性的影响
Sol-gel法制备的SnO2掺杂TiO2的厚膜及其气敏特性研究
基于SiC SBD欧姆接触的研究
利用CBD法进行氧化锌掺杂半导体纳米阵列的制备及特性研究
氧化锌（ZnO）/Ag纳米结构的光电性质研究
4H-SiC的反应离子刻蚀和电化学刻蚀研究
银掺杂二氧化锡纳米线的制备及其光学性能研究
MoS2/ZnO复合结构制备及光学性质研究
InGaAs量子点可控生长研究
纤维表面ZnO纳米结构的构筑及性能研究
Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的结构和磁性研究
掺杂ZnTe的第一性原理研究
选择性横向外延生长半极性面GaN材料及器件光电性质研究
二维材料MoS2发光增强的缺陷工程研究
ZnO单晶micro-PL及其在声表面波器件的仿真研究
SiC MOS器件界面特性的ECR等离子体SiC表面改性研究
Pd掺杂花状In2O3微结构的制备及其气敏特性研究
上一页
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
下一页
