碳化硅表面声子激元激发
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1. 表面等离激元与表面声子激元 | 第10-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 表面等离激元及其瓶颈问题 | 第10-11页 |
| 1.3 解决办法 | 第11-13页 |
| 1.4 研究现状 | 第13-14页 |
| 2. 传感器介绍 | 第14-15页 |
| 第二章 激发表面声子激元的理论基础 | 第15-30页 |
| 2.1 理论推导 | 第15-20页 |
| 2.1.1 表面等离子激元 | 第15-17页 |
| 2.1.2 表面声子激元 | 第17-20页 |
| 2.2 模拟仿真 | 第20-30页 |
| 2.2.1 一维光栅结构 | 第20-24页 |
| 2.2.2 传感器指标 | 第24-27页 |
| 2.2.3 二维光子晶体结构 | 第27-30页 |
| 第三章 PECVD法制备碳化硅薄膜 | 第30-40页 |
| 3.1 设备介绍 | 第31页 |
| 3.2 实验设计 | 第31-38页 |
| 3.2.1 基本反应 | 第32页 |
| 3.2.2 反应气体的选择 | 第32-33页 |
| 3.2.3 样品的处理 | 第33-34页 |
| 3.2.4 实验步骤 | 第34-35页 |
| 3.2.5 实验测试及表征 | 第35-38页 |
| 3.3 影响因素 | 第38-39页 |
| 3.3.1 SiH4和CH4流量比因素 | 第38页 |
| 3.3.2 射频功率因素 | 第38页 |
| 3.3.3 不同衬底温度 | 第38-39页 |
| 3.4 结果与结论 | 第39-40页 |
| 第四章 表面声子激元激发 | 第40-54页 |
| 4.1 单分散性聚苯乙烯微球的制备 | 第41-45页 |
| 4.1.1 实验部分 | 第41-42页 |
| 4.1.2 影响因素 | 第42-44页 |
| 4.1.3 表征 | 第44页 |
| 4.1.4 小结 | 第44-45页 |
| 4.2 单分散性二氧化硅微球的制备 | 第45-47页 |
| 4.2.1 实验部分 | 第45-46页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第46-47页 |
| 4.3 光子晶体的制备 | 第47-51页 |
| 4.3.1 垂直提拉法 | 第47-48页 |
| 4.3.2 直接滴加法 | 第48-49页 |
| 4.3.3 自然沉降法 | 第49-50页 |
| 4.3.4 L-B法 | 第50页 |
| 4.3.5 结果与讨论 | 第50-51页 |
| 4.3.6 小结 | 第51页 |
| 4.4 结果分析 | 第51-53页 |
| 4.5 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
