| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 发光二极管发展历程 | 第11-12页 |
| 1.3 宽禁带半导体材料 | 第12-14页 |
| 1.3.1 碳化硅(SiC) | 第12-13页 |
| 1.3.2 氮化镓(GaN) | 第13页 |
| 1.3.3 氮化铝(AlN) | 第13-14页 |
| 1.3.4 氧化锌(ZnO)半导体材料 | 第14页 |
| 1.4 ZNO的特性 | 第14-18页 |
| 1.4.1 ZnO的晶体结构 | 第14-16页 |
| 1.4.2 氧化锌的晶体缺陷和杂质 | 第16-17页 |
| 1.4.3 ZnO的光电学特性 | 第17页 |
| 1.4.4 ZnO薄膜的应用 | 第17-18页 |
| 1.5 NIO的特性 | 第18-21页 |
| 1.5.1 NiO的晶体结构 | 第18-20页 |
| 1.5.2 NiO的晶体缺陷和掺杂 | 第20页 |
| 1.5.3 NiO的光电学特性 | 第20-21页 |
| 1.5.4 NiO薄膜的应用 | 第21页 |
| 1.6 本论文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验原理和工艺及表征技术 | 第23-33页 |
| 2.1 实验原理 | 第23-25页 |
| 2.1.1 薄膜常用制备方法及其特点 | 第23页 |
| 2.1.2 磁控溅射的原理 | 第23-24页 |
| 2.1.3 磁控溅射系统 | 第24-25页 |
| 2.2 实验工艺及方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 粉末的处理 | 第25-27页 |
| 2.2.2 靶材的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.3 薄膜的制备 | 第29页 |
| 2.3 表征方法 | 第29-33页 |
| 2.3.1 X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第29-30页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.3.3 光致发光(PL)光谱测试仪 | 第31页 |
| 2.3.4 紫外可见分光光度计 | 第31-32页 |
| 2.3.5 霍尔效应测试(HALL) | 第32-33页 |
| 第三章 ZNO薄膜的制备及其特性研究 | 第33-49页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 气流中氧含量对ZNO薄膜性能的影响 | 第33-37页 |
| 3.2.1 对晶体结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.2 对光学性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.3 衬底温度对ZNO薄膜性能的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.1 对晶体结构的影响 | 第38页 |
| 3.3.2 对光学性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 AL~(3+)掺杂对ZNO薄膜性能的影响 | 第40-44页 |
| 3.4.1 对晶体结构的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.2 对光学性能的影响 | 第42-43页 |
| 3.4.3 对电学性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.5 MG~(2+)的掺杂对ZNO: AL薄膜性能的影响 | 第44-49页 |
| 3.5.1 对晶体结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.5.2 对电学性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.5.3 对光学性能的影响 | 第47-49页 |
| 第四章 NIO薄膜的制备及其特性研究 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 CU~(2+)的掺杂浓度对NIO薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.2.1 对晶体结构的影响 | 第50-51页 |
| 4.2.2 对电学性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 氧百分含量对NI_(0.9)CU_(0.1)O薄膜性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.3.1 对晶体结构的影响 | 第53页 |
| 4.3.2 对电学性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 衬底温度对NI_(0.9)CU_(0.1)O薄膜性能的影响 | 第55-59页 |
| 4.4.1 对晶体结构的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.2 对电学性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.4.3 对光学性能的影响 | 第57-59页 |
| 第五章 ZNO基异质P-N结的制备和特性研究 | 第59-65页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 P-NI_(0.9)Cu_(0.1)O/N-ZNO: AL异质结结构的制备和分析 | 第59-62页 |
| 5.2.1 p-Ni_(0.9)Cu_(0.1)O/n-ZnO: Al异质结结构的XRD分析 | 第60-61页 |
| 5.2.2 p-Ni_(0.9)Cu_(0.1)O/n-ZnO: Al异质结结构的电学性能分析 | 第61-62页 |
| 5.3 P-NI_(0.9)CU_(0.1)O/I-ZN_(0.85)MG_(0.15)O/N-ZNO:AL异质结的制备和分析 | 第62-65页 |
| 5.3.1 p-Ni_(0.9)Cu_(0.1)O/i-Zn_(0.85)Mg_(0.15)O/n-ZnO: Al异质结的XRD分析 | 第62-63页 |
| 5.3.2 p-Ni_(0.9)Cu_(0.1)O/i-Zn_(0.85)Mg_(0.15)O/n-ZnO: Al异质结的电学性能分析 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-68页 |
| 6.1 全文总结 | 第65-66页 |
| 6.2 ZNO基光电材料的展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第75页 |
