| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-30页 |
| ·Ⅲ族氮化物LED的材料性质和器件概述 | 第13-18页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的主要性质 | 第13-16页 |
| ·Ⅲ族氮化物LED的基本原理 | 第16-17页 |
| ·Ⅲ族氮化物LED效率提升的受限因素 | 第17-18页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的选择性横向外延生长 | 第18-22页 |
| ·MOCVD生长系统与生长机理 | 第18-19页 |
| ·选择性横向外延生长技术 | 第19-20页 |
| ·选择性横向外延生长质量输运过程 | 第20-21页 |
| ·半极性面Ⅲ族氮化物材料的选择性横向外延生长研究背景 | 第21-22页 |
| ·半极性面和非极性面的Ⅲ族氮化物材料与器件 | 第22-25页 |
| ·论文结构和研究内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 半极性面GaN选择性横向外延生长及材料性质研究 | 第30-59页 |
| ·研究意义与研究内容 | 第30-31页 |
| ·半极性面GaN的选择性横向外延生长 | 第31-45页 |
| ·实验过程 | 第31-32页 |
| ·条形掩膜选择横向外延生长半极性面GaN研究 | 第32-39页 |
| ·十字掩膜选择横向外延生长半极性面GaN研究 | 第39-41页 |
| ·选择横向外延生长半极性面GaN的生长速度分析 | 第41-45页 |
| ·选择横向外延生长半极性面GaN的材料性质 | 第45-54页 |
| ·位错变化分析 | 第45-49页 |
| ·光学性质 | 第49-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第三章 半极性面InGaN/GaN多量子阱发光性质研究 | 第59-86页 |
| ·研究意义与研究内容 | 第59-60页 |
| ·实验过程 | 第60-62页 |
| ·半极性面InGaN/GaN多量子阱的CL发光性质研究 | 第62-72页 |
| ·条形掩膜上生长的半极性面InGaN/GaN多量子阱 | 第62-66页 |
| ·十字掩膜上生长的半极性面InGaN/GaN多量子阱 | 第66-72页 |
| ·半极性面InGaN/GaN多量子阱的PL发光性质研究 | 第72-79页 |
| ·PL基本发光性质研究 | 第72-74页 |
| ·变功率PL发光性质研究 | 第74-76页 |
| ·变温PL发光性质研究 | 第76-79页 |
| ·半极性面InGaN/GaN多量子阱极化性质 | 第79-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-86页 |
| 第四章 半极性面InGaN/GaN多量子阱LED光电性质研究 | 第86-98页 |
| ·研究意义与研究内容 | 第86-87页 |
| ·半极性面InGaN/GaN多量子阱LED器件制备 | 第87-91页 |
| ·外延生长 | 第87-88页 |
| ·芯片工艺 | 第88-91页 |
| ·半极性面InGaN/GaN多量子阱LED的光学性质研究 | 第91-93页 |
| ·半极性面InGaN/GaN多量子阱LED的电学性质研究 | 第93-95页 |
| ·本章小结 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-98页 |
| 第五章 结论 | 第98-103页 |
| ·论文工作总结 | 第98-101页 |
| ·研究展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第104-106页 |
| 申请和授权专利 | 第106-107页 |
