基于SiC SBD欧姆接触的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| ·碳化硅材料的简介 | 第8-13页 |
| ·碳化硅材料的基本特性 | 第8-10页 |
| ·碳化硅材料的发展 | 第10-11页 |
| ·碳化硅功率器件的应用 | 第11-13页 |
| ·碳化硅欧姆接触的国内外研究进展及现存问题 | 第13-19页 |
| ·碳化硅欧姆接触的国内外研究进展 | 第14-18页 |
| ·存在的问题 | 第18-19页 |
| ·本文工作的主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 欧姆接触的基本原理 | 第20-34页 |
| ·金属半导体接触理论 | 第20-25页 |
| ·肖特基势垒 | 第20-21页 |
| ·肖特基势垒高度 | 第21-22页 |
| ·影响肖特基势垒的因素 | 第22-23页 |
| ·载流子的输运过程 | 第23-24页 |
| ·载流子的输运方程 | 第24-25页 |
| ·欧姆接触机制 | 第25-27页 |
| ·势垒模型 | 第26页 |
| ·隧道模型 | 第26-27页 |
| ·欧姆接触的比接触电阻 | 第27-32页 |
| ·比接触电阻的定义 | 第27-28页 |
| ·常用的 ρc测试方法 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 n型4H-SiC的欧姆接触制备工艺及测试 | 第34-44页 |
| ·欧姆接触的制备工艺 | 第34-41页 |
| ·所用测试方法 | 第41-42页 |
| ·金属电极表面形貌的测试 | 第41页 |
| ·金-半接触界面微观结构的测试 | 第41-42页 |
| ·高温特性的测试 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 测试结果与分析 | 第44-58页 |
| ·比接触电阻 ρc的测试 | 第44-51页 |
| ·微观结构的分析 | 第51-56页 |
| ·电极表面形貌的分析 | 第51-54页 |
| ·样品的XRD测试分析 | 第54-56页 |
| ·稳定性的分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
