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Be,Mg掺杂ZnO基半导体材料的结构及电学性质的理论研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 ZnO基材料的研究进展第12-36页
    1.1 ZnO材料的基本性质及应用前景第12-13页
    1.2 宽带隙ZnO基合金材料的研究现状第13-23页
        1.2.1 MgZnO合金的研究现状第14-17页
        1.2.2 BeZnO合金的研究现状第17-20页
        1.2.3 BeMgZnO合金的研究现状第20-23页
    1.3 ZnO中的杂质掺杂第23-34页
        1.3.1 ZnO中的n-type掺杂第23-27页
        1.3.2 ZnO中的p-type掺杂第27-34页
            1.3.2.1 N元素在ZnO的掺杂研究现状第28-31页
            1.3.2.2 N相关的缺陷复合体的研究第31-33页
            1.3.2.3 受主缺陷V_(Zn)的研究第33-34页
    1.4 本章小结第34-36页
第2章 理论研究方法第36-46页
    2.1 集团展开方法第36-42页
        2.1.1 正交基第36-37页
        2.1.2 集团函数第37-38页
        2.1.3 集团展开方法使用举例第38-39页
        2.1.4 集团展开方法的一些进展第39-40页
            2.1.4.1 浓度依赖的基矢函数第39-40页
            2.1.4.2 改进的标量积关系和基矢函数第40页
        2.1.5 集团展开参数第40-41页
        2.1.6 集团展开方法与Monte Carlo模拟结合计算合金的热力学性质第41-42页
    2.2 SQSs方法第42-43页
    2.3 计算软件包简介第43-44页
        2.3.1 第一性原理计算软件包VASP第43-44页
        2.3.2 合金理论自动化工具包ATAT第44页
    2.4 本章小结第44-46页
第3章 BeMgZnO合金结构与能带工程的理论研究第46-72页
    3.1 研究背景第46-47页
    3.2 BeMgZnO无序合金的结构相变第47-54页
        3.2.1 Be,Mg组分诱导的无序 BeMgZnO合金的结构相变第47-51页
        3.2.2 Be对无序合金稳定性及电子结构影响的理论分析第51-54页
    3.3 BeMgZnO的有序结构相第54-71页
        3.3.1 集团展开方法及对BeMgZnO体系的分析第54-57页
        3.3.2 BeMgZnO体系中的分相行为第57-64页
        3.3.3 BeMgZnO体系中的有序结构相的物理性质分析第64-69页
        3.3.4 BeMgZnO体系中的有序结构相的形成机理第69-71页
    3.4 本章小结第71-72页
第4章 BeMgZnO合金中的杂质缺陷第72-88页
    4.1 BeMgZnO合金中的杂质缺陷间的相互作用和杂质的迁移行为第72-82页
        4.1.1 研究背景第72页
        4.1.2 BeMgZnO合金中的杂质缺陷之间的相互作用第72-77页
        4.1.3 BeMgZnO合金中杂质的迁移行为第77-82页
    4.2 BeMgZnO合金中Be杂质对激子束缚能的影响第82-86页
        4.2.1 研究背景第82页
        4.2.2 理论方法简介第82-83页
        4.2.3 Be杂质对材料带边态的影响第83-84页
        4.2.4 Be杂质对材料激子束缚能的影响第84-86页
    4.3 本章小结第86-88页
第5章 N掺杂ZnO中H稳定的浅受主及其形成第88-106页
    5.1 N掺杂ZnO中存在的H稳定的浅受主第88-98页
        5.1.1 研究背景第88-89页
        5.1.2 计算方法第89页
        5.1.3 Vzn相关缺陷复合体的形成第89-95页
        5.1.4 缺陷的热离化能第95-98页
    5.2 H稳定的浅受主在ZnO表面生长过程中的形成机理第98-104页
        5.2.1 研究背景第98-99页
        5.2.2 计算方法第99页
        5.2.3 H辅助下N的掺杂第99-102页
        5.2.4 生长过程中浅受主的形成及演化第102-104页
    5.3 本章小结第104-106页
第6章 ZnO表面生长过程中Be辅助N掺杂行为的研究第106-116页
    6.1 研究背景第106页
    6.2 计算方法第106-107页
    6.3 理想的ZnO表面区域Be杂质对N的沉积行为的影响第107-111页
    6.4 表面台阶区域Be杂质对N的沉积行为的影响第111-114页
    6.5 本章小结第114-116页
参考文献第116-124页
附录第124-125页
致谢第125-126页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第126-127页

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