| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-17页 |
| 主要符号表 | 第17-19页 |
| 1 绪论 | 第19-43页 |
| ·研究背景 | 第19-29页 |
| ·SiO_2/SiC界面及金属/SiC欧姆接触的研究现状 | 第29-41页 |
| ·研究思想及研究内容 | 第41-43页 |
| 2 SiC表面氢氮等离子体钝化研究 | 第43-70页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·氢氮等离子体表面钝化工艺及分析 | 第44-52页 |
| ·氢氮等离子体表面钝化工艺 | 第44-48页 |
| ·氢氮等离子体表面钝化分析方法 | 第48-52页 |
| ·SiC表面ECR氢氮等离子体钝化效果分析 | 第52-67页 |
| ·氢氮等离子体钝化对表面结构的影响 | 第52-59页 |
| ·氢氮等离子体钝化对表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| ·氢氮等离子体钝化对表面组成的影响 | 第60-64页 |
| ·氢氮等离子体钝化对表面态密度的影响 | 第64-67页 |
| ·氢氮等离子体表面钝化的机理分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 3 氢氮等离子体预处理改善SiO_2/SiC界面特性及机理研究 | 第70-100页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·氢氮等离子体预处理钝化SiO_2/SiC界面工艺及测试 | 第71-83页 |
| ·氢氮表面预处理钝化SiO_2/SiC界面工艺 | 第71-73页 |
| ·SiO_2/SiC界面测试方法 | 第73-83页 |
| ·氢氮预处理及退火钝化SiC MOS电容的电学特性 | 第83-94页 |
| ·栅氧化膜绝缘特性 | 第83-86页 |
| ·栅氧化膜可靠性评价 | 第86-87页 |
| ·SiO_2/SiC界面电学特性 | 第87-93页 |
| ·SiO_2/SiC界面电学特性的改善效果 | 第93-94页 |
| ·氢氮预处理及退火钝化SiO_2/SiC界面的结构及组成 | 第94-97页 |
| ·氢氮预处理及退火改善SiO_2/SiC界面电学特性的机理分析 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 4 氢/氢氮等离子体预处理改善TiC/SiC欧姆接触特性及机理研究 | 第100-124页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·等离子体表面预处理TiC/SiC欧姆接触工艺与测试 | 第101-105页 |
| ·等离子体表面预处理TiC/SiC欧姆接触工艺 | 第101-103页 |
| ·TiC/SiC欧姆接触测试方法 | 第103-105页 |
| ·氢预处理对TiC/SiC欧姆接触的改善效果 | 第105-107页 |
| ·I-V特性的改善 | 第105-107页 |
| ·比接触电阻的降低 | 第107页 |
| ·退火温度对TiC/SiC欧姆接触特性的影响 | 第107-114页 |
| ·欧姆接触特性随退火温度的变化 | 第107-109页 |
| ·TiC/SiC接触势垒高度随退火温度的变化 | 第109-112页 |
| ·TiC/SiC界面态密度分析 | 第112-114页 |
| ·氢预处理及退火改善TiC/SiC欧姆接触特性的机理分析 | 第114-120页 |
| ·SiC表面特性分析 | 第114-117页 |
| ·TiC/SiC界面的微观结构分析 | 第117-118页 |
| ·TiC/SiC欧姆接触特性改善的机理分析 | 第118-120页 |
| ·氢氮预处理及退火对TiC/SiC欧姆接触的改善效果 | 第120-121页 |
| ·氢氮预处理及退火改善TiC/SiC欧姆接触特性的机理分析 | 第121-122页 |
| ·本章小结 | 第122-124页 |
| 5 结论与展望 | 第124-127页 |
| ·结论 | 第124-126页 |
| ·创新点摘要 | 第126页 |
| ·展望 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-137页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 作者简介 | 第140页 |
