基于不同原料体系的SiC纳米线量产化制备工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·纳米材料的基本效应 | 第9-11页 |
| ·量子尺寸效应 | 第10页 |
| ·小尺寸效应 | 第10页 |
| ·表面与界面效应 | 第10-11页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第11页 |
| ·SiC一维纳米材料的研究现状 | 第11-19页 |
| ·SiC一维纳米材料的制备方法 | 第11-15页 |
| ·模板法 | 第12页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第12-13页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第13-14页 |
| ·碳热还原法 | 第14页 |
| ·溶剂热法 | 第14-15页 |
| ·SiC一维纳米材料的生长机理 | 第15-17页 |
| ·气-液-固(VLS)生长机制 | 第15-16页 |
| ·气-固(VS)生长机制 | 第16页 |
| ·固-液-固(SLS)生长机制 | 第16-17页 |
| ·SiC一维纳米材料的性能 | 第17-19页 |
| ·SiC一维纳米材料的力学性能 | 第17页 |
| ·SiC一维纳米材料的电化学性能 | 第17-18页 |
| ·SiC一维纳米材料的发光性能 | 第18页 |
| ·SiC一维纳米材料的光催化性能 | 第18页 |
| ·SiC一维纳米材料的场发射性能 | 第18-19页 |
| ·SiC一维纳米材料的应用 | 第19页 |
| ·SiC一维纳米材料的量产化制备 | 第19-20页 |
| ·论文选题与研究内容 | 第20-22页 |
| ·论文选题意义和研究目的 | 第20页 |
| ·论文研究内容 | 第20-21页 |
| ·论文创新点 | 第21-22页 |
| 2 实验材料及表征方法 | 第22-26页 |
| ·实验材料 | 第22页 |
| ·实验仪器 | 第22页 |
| ·实验方法 | 第22-26页 |
| ·SiC纳米线的制备 | 第22-24页 |
| ·原料预处理 | 第23页 |
| ·实验操作 | 第23-24页 |
| ·测试与表征技术 | 第24-26页 |
| 3 高纯硅粉、A型碳为原料制备SiC纳米线 | 第26-50页 |
| ·工艺参数 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-48页 |
| ·硅碳摩尔比对SiC纳米线产量的影响 | 第26-34页 |
| ·升温速率对SiC纳米线产量的影响 | 第34-37页 |
| ·反应温度对SiC纳米线产量的影响 | 第37-42页 |
| ·反应时间对SiC纳米线产量的影响 | 第42-48页 |
| ·A型碳为碳源的生长机理分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 4 高纯硅粉、B型碳为原料制备SiC纳米线 | 第50-75页 |
| ·工艺参数 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-72页 |
| ·SiC纳米线的化学成分分析 | 第51页 |
| ·B型碳型号对SiC纳米线产量的影响 | 第51-54页 |
| ·二次升温速率对SiC纳米线产量的影响 | 第54-58页 |
| ·反应时间对SiC纳米线产量的影响 | 第58-63页 |
| ·进料温度对SiC纳米线产量的影响 | 第63-68页 |
| ·出料温度对SiC纳米线产量的影响 | 第68-72页 |
| ·SiC纳米线生长机理分析与讨论 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 5 高纯硅粉、C型碳为原料制备SiC纳米线 | 第75-98页 |
| ·实验方法 | 第75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-95页 |
| ·SiC纳米线的化学成分分析 | 第75-76页 |
| ·碳硅摩尔比对SiC纳米线产量的影响 | 第76-82页 |
| ·升温速率对SiC纳米线产量的影响 | 第82-86页 |
| ·反应时间对SiC纳米线产量的影响 | 第86-91页 |
| ·反应温度对SiC纳米线产量的影响 | 第91-95页 |
| ·SiC纳米线生长机理分析 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 6 结论 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第104-105页 |
