4H-SiC的反应离子刻蚀和电化学刻蚀研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第一章 文献综述	第8-22页
·碳化硅晶体材料的基本性质	第8-10页
·刻蚀技术	第10-14页
·湿法刻蚀	第11-12页
·干法刻蚀	第12-14页
·碳化硅反应离子刻蚀	第14-17页
·碳化硅纳米线的制备及应用	第17-21页
·SiC纳米线制备	第17-19页
·SiC纳米线压阻性能	第19-21页
·选题依据和主要研究内容	第21-22页
第二章 4H-SiC反应离子刻蚀微掩膜效应研究	第22-46页
·反应离子刻蚀	第22-25页
·等离子体的产生及其性质	第22-23页
·反应离子刻蚀机理	第23-25页
·4H-SiC反应离子刻蚀工艺流程设计	第25-30页
·光刻图形转移工艺	第25-26页
·刻蚀掩膜的选择与制备	第26-28页
·反应离子刻蚀工艺	第28-29页
·刻蚀工艺流程	第29-30页
·4H-SiC刻蚀区域残留物的基本特征	第30-33页
·工艺参数对残留物形成的影响	第33-40页
·工作压强	第33-35页
·刻蚀气体流量比	第35-38页
·Si面和C面刻蚀速率的比较	第38-40页
·刻蚀残留物的形成机制及消除办法	第40-43页
·RIE制备无掩膜的 4H-SiC的纳米结构	第43-44页
·本章小结	第44-46页
第三章 4H-SiC纳米线制备及压阻性能研究	第46-57页
·引言	第46页
·4H-SiC纳米线的制备及表征	第46-49页
·4H-SiC纳米线压阻性能测试	第49-54页
·压阻效应	第49-50页
·C-AFM测试	第50页
·计算方法	第50-52页
·测试结果分析	第52-54页
·4H-SiC纳米线的压阻效应起源	第54-55页
·本章小结	第55-57页
第四章 总结与展望	第57-58页
·总结	第57页
·展望	第57-58页
参考文献	第58-64页
攻读硕士期间主要研究成果	第64-65页
致谢	第65页