| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物材料概述 | 第11-19页 |
| §1.1.1 Ⅲ族氮化物材料的发展背景 | 第11-16页 |
| §1.1.2 Ⅲ族氮化物材料的一些特性 | 第16-17页 |
| §1.1.3 Ⅲ族氮化物材料生长技术及相应的衬底材料的介绍 | 第17-19页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物发光二极管(LED)的概述 | 第19-26页 |
| §1.2.1 Ⅲ族氮化物LED的发展背景 | 第19-24页 |
| §1.2.2 Ⅲ族氮化物LED面临的一些挑战 | 第24-26页 |
| §1.3 论文的主要研究内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-35页 |
| 第二章 InN材料的发光性质的研究 | 第35-54页 |
| §2.1 引言 | 第35-36页 |
| §2.2 计算方法 | 第36-41页 |
| §2.3 数值计算结果和分析 | 第41-49页 |
| §2.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 第三章 InN插入层量子阱结构绿光LED发光性质的研究 | 第54-74页 |
| §3.1 引言 | 第54-55页 |
| §3.2 计算流程 | 第55-62页 |
| §3.3 数值结果和讨论 | 第62-69页 |
| §3.3.1 InGaN-InN-InGaN/GaN量子阱结构 | 第62-64页 |
| §3.3.2 InN插入层的位置的优化 | 第64-66页 |
| §3.3.3 In成份界面扩散的影响 | 第66-67页 |
| §3.3.4 材料增益的比较 | 第67-68页 |
| §3.3.5 应变驰豫的影响 | 第68-69页 |
| §3.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第四章 SP增强的Ⅲ族氮化物LED的发光性质的研究 | 第74-87页 |
| §4.1 引言 | 第74-75页 |
| §4.2 进入SPP模的自发发射率的计算过程 | 第75-78页 |
| §4.3 一个简单结构的计算结果 | 第78-84页 |
| §4.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第五章 结论与展望 | 第87-90页 |
| §5.1 本文研究结论 | 第87-88页 |
| §5.2 展望 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文,参加的会议及申请的专利 | 第91-92页 |
